如何表徵 SiC MOSFET 的閘極電荷

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精確量測 SiC 閘極電荷

碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）閘極電荷特性分析需要在規定的運作條件下控制閘極激發，同時量測閘極電壓、閘極電流、汲極電壓和汲極電流。靜態測試將高壓和高電流量測分開並結合成品曲線，而動態測試則在切換期間整合所量測的閘極電流以推導閘極電荷。

動態測試使用雙脈衝測試電路，並透過整合閘極電流來推導閘極電荷對時間曲線，然後再用閘極源極電壓波形將其轉換為 $Q_g$-$V_{gs}$ 特性。必須設定閘極電阻、切換時間、感性負載、閘極電壓、汲極電壓和汲極電流等量測設定，以控制振盪並支援可靠的參數擷取。

SiC MOSFET 閘極電荷測量解決方案

閘極電荷（$Q_g$）特性分析需要在整個切換過程中控制元件的電壓和電流運作條件，同時量測閘極電流和閘極電壓行為。使用 Keysight B1506A 功率元件分析儀 / 曲線追蹤儀進行靜態測試，可執行獨立的高壓和高電流 $Q_g$ 量測，並將結果擬合至完整的閘極電荷曲線。使用 Keysight PD1550A 雙脈衝測試儀進行動態測試時，採用雙脈衝測試方法，整合閘極電流以推導 $Q_g$，並將其與閘極源極電壓建立關聯。
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