如何表徵 SiC MOSFET 的閘極電荷

功率元件分析儀/曲線追蹤儀
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精確測量 SiC 閘極電荷

碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的柵極電荷特性分析,需在受控的柵極激發下,於既定的操作條件下測量柵極電壓、柵極電流、漏極電壓及漏極電流。靜態測試會將高電壓與高電流測量分開進行,並將所得曲線合併;而動態測試則會將開關過程中的柵極電流測量值進行積分,以推導出柵極電荷。

動態測試採用雙脈衝測試電路,透過對柵極電流進行積分,以獲得柵極電荷隨時間變化的曲線,隨後將其與柵極-源極電壓波形結合,轉化為 Qg-Vgs 特性曲線。必須設定柵極電阻、切換時間、感性負載、柵極電壓、漏極電壓及漏極電流等測量參數,以控制振盪並確保能可靠地提取參數。

SiC MOSFET 閘極電荷測量解決方案

柵極電荷 (Qg) 的特性分析,需在控制元件的電壓與電流工作條件的同時,測量整個切換過程中的柵極電流與柵極電壓特性。 使用是德科技 B1506A 功率元件分析儀/曲線追蹤儀進行靜態測試時,會分別執行高電壓與高電流的 Qg 測量,並將結果擬合為完整的柵極電荷曲線。使用是德科技 PD1550A 雙脈衝測試儀進行動態測試時,則採用雙脈衝測試方法,透過積分柵極電流來推導 Qg,並將其與柵極-源極電壓進行關聯分析。

請參閱 SiC MOSFET 閘極電荷測量解決方案的方塊圖

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