SiC MOSFET 게이트 전하 특성 측정 방법

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SiC 게이트 전하를 정확하게 측정

SiC(실리콘 카바이드) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 게이트 전하 특성화를 수행하려면 규정된 동작 조건에서 게이트 전압, 게이트 전류, 드레인 전압, 드레인 전류를 측정하는 동시에 게이트 여자(excitation)를 제어해야 합니다. 정적 테스트는 고전압 측정과 고전류 측정을 분리하여 결과 곡선들을 결합하고, 동적 테스트는 스위칭 중에 측정한 게이트 전류를 적분하여 게이트 전하를 도출합니다.

동적 테스트는 이중 펄스 테스트 회로를 사용하며, 게이트 전류를 적분한 후 게이트-소스 전압 파형으로 변환하여 Qg-Vgs 특성으로 만드는 방식으로 게이트-전하-대-시간 곡선을 도출합니다. 발진을 제어하고 안정적인 파라미터 추출을 지원하려면 게이트 저항, 스위칭 시간, 유도성 부하, 게이트 전압, 드레인 전압, 드레인 전류 등의 측정 설정이 구성되어야 합니다.

SiC MOSFET 게이트 전하 측정 솔루션

게이트 전하(Qg) 특성화는 스위칭 과정 전체에서 게이트 전류 및 게이트 전압 거동을 측정하는 동시에 디바이스의 전압 및 전류 동작 조건을 제어해야 합니다. 키사이트 B1506A 전력 소자 분석기 / 커브 트레이서를 이용한 정적 테스트는 고전압 및 고전류 Qg 측정을 각각 수행하고 그 결과를 완전한 게이트 전하 곡선에 맞춤화합니다. 키사이트 PD1550A 이중 펄스 테스터를 이용한 동적 테스트는 이중 펄스 테스트 접근 방식을 사용하여 게이트 전류를 적분함으로써 Qg를 도출하고 이를 게이트-소스 전압과 상관시킵니다.
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