SiC MOSFET 게이트 전하 특성 측정 방법

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SiC 게이트 전하를 정확하게 측정하기

실리콘 카바이드(SiC) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트 전하 특성 분석을 위해서는, 정의된 작동 조건 하에서 게이트 전압, 게이트 전류, 드레인 전압 및 드레인 전류를 측정하는 동시에 게이트 구동을 제어해야 합니다. 정적 테스트는 고전압 및 고전류 측정을 별도로 수행한 후 그 결과를 결합하여 곡선을 도출하는 반면, 동적 테스트는 스위칭 과정에서 측정된 게이트 전류를 적분하여 게이트 전하를 산출합니다.

동적 테스트는 이중 펄스 테스트 회로를 사용하며, 게이트 전류를 적분하여 게이트 전하-시간 곡선을 도출한 후, 이를 게이트-소스 전압 파형과 결합하여 Qg-Vgs 특성을 구합니다. 발진 현상을 제어하고 신뢰할 수 있는 파라미터 추출을 위해 게이트 저항, 스위칭 시간, 유도성 부하, 게이트 전압, 드레인 전압 및 드레인 전류와 같은 측정 설정을 적절히 구성해야 합니다.

SiC MOSFET 게이트 전하 측정 솔루션

게이트 전하(Qg) 특성 분석을 위해서는 스위칭 과정 전반에 걸쳐 게이트 전류 및 게이트 전압의 거동을 측정하는 동시에 소자의 전압 및 전류 작동 조건을 제어해야 합니다. Keysight B1506A 파워 디바이스 분석기/커브 트레이서를 사용한 정적 테스트에서는 고전압 및 고전류 Qg 측정을 별도로 수행하고, 그 결과를 종합하여 완전한 게이트 전하 곡선을 도출합니다. Keysight PD1550A 더블 펄스 테스터를 사용한 동적 테스트에서는 더블 펄스 테스트 방식을 적용하여 게이트 전류를 적분해 Qg를 도출하고, 이를 게이트-소스 전압과 연관시킵니다.
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