Come caratterizzare la carica di gate di un MOSFET in SiC

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Analizzatore di dispositivi di potenza / Curve Tracer
+ Analizzatore di dispositivi di potenza / Tracciatore di curve
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Misurare con precisione la carica di gate del SiC

La caratterizzazione della carica di gate dei transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido metallico (MOSFET) in carburo di silicio (SiC) richiede un’eccitazione controllata del gate durante la misurazione della tensione di gate, della corrente di gate, della tensione di drain e della corrente di drain in condizioni operative definite. Le prove statiche separano le misurazioni ad alta tensione da quelle ad alta corrente e combinano le curve risultanti, mentre le prove dinamiche integrano la corrente di gate misurata durante la commutazione per ricavare la carica di gate.

Il test dinamico utilizza un circuito di prova a doppio impulso e ricava la curva della carica di gate in funzione del tempo integrando la corrente di gate prima di trasformarla, insieme alla forma d'onda della tensione gate-source, in una caratteristica Qg-Vgs. Le impostazioni di misura, quali la resistenza di gate, il tempo di commutazione, il carico induttivo, la tensione di gate, la tensione di drain e la corrente di drain, devono essere configurate in modo da controllare le oscillazioni e garantire un'estrazione affidabile dei parametri.

Soluzione per la misurazione della carica di gate dei MOSFET in SiC

La caratterizzazione della carica di gate (Qg) richiede il controllo delle condizioni operative di tensione e corrente del dispositivo, misurando al contempo l’andamento della corrente di gate e della tensione di gate durante l’intero processo di commutazione. I test statici con l’analizzatore di dispositivi di potenza / tracciatore di curve Keysight B1506A eseguono misurazioni separate di Qg ad alta tensione e ad alta corrente e inseriscono i risultati in una curva completa della carica di gate. I test dinamici con il tester a doppio impulso Keysight PD1550A utilizzano un approccio di test a doppio impulso, integrando la corrente di gate per ricavare Qg e correlandola con la tensione gate-source.
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Vedi lo schema a blocchi della soluzione per la misurazione della carica di gate dei MOSFET in SiC

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