Come misurare la tensione di rottura di un transistor bipolare a gate isolato
Misura delle caratteristiche di rottura degli IGBT ad alta tensione
La caratterizzazione del breakdown di un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) richiede l'applicazione di una tensione collettore-emettitore controllata, misurando al contempo la corrente di dispersione del collettore risultante. Il sistema di misura deve garantire una capacità di erogazione di alta tensione sufficiente, pur essendo in grado di rilevare correnti di dispersione basse prima del breakdown. La conformità di tensione viene configurata in base alle specifiche relative alla tensione massima del collettore del dispositivo, in modo che la variazione di tensione rimanga entro le condizioni di misura previste.
Il processo di misurazione prevede la variazione della tensione del collettore, monitorando al contempo la corrente che attraversa il dispositivo in prova. La corrente di dispersione rimane relativamente bassa prima di aumentare man mano che il dispositivo si avvicina alla rottura, consentendo di identificare la regione di rottura dalla caratteristica corrente-tensione misurata. Le misurazioni che si estendono in regioni operative nell'ordine dei kilovolt richiedono un'adeguata sorgente di alta tensione e un percorso di misurazione in grado di applicare contemporaneamente la tensione e di monitorare la corrente del dispositivo.
Soluzione per il test di rottura degli IGBT ad alta tensione
Vedi il diagramma a blocchi della soluzione relativa alla tensione di rottura dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) ad alta tensione
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