Cómo medir la tensión de ruptura de un transistor bipolar de puerta aislada

Obtener presupuesto
Analizador de autodescarga
+ Analizador de parámetros
Analizador de autodescarga
+ Analizador de parámetros

Medición de las características de ruptura de los IGBT de alta tensión

La caracterización de la ruptura de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) requiere aplicar una tensión controlada entre el colector y el emisor, al tiempo que se mide la corriente de fuga del colector resultante. El montaje de medición debe proporcionar una capacidad suficiente para generar alta tensión y, al mismo tiempo, poder detectar corrientes de fuga bajas antes de que se produzca la ruptura. La complacencia de tensión se configura de acuerdo con la especificación de tensión máxima del colector del dispositivo, de modo que el barrido de tensión se mantenga dentro de las condiciones de medición previstas.

El proceso de medición varía la tensión del colector mientras se supervisa la corriente que atraviesa el dispositivo sometido a prueba. La corriente de fuga se mantiene relativamente baja antes de aumentar a medida que el dispositivo se acerca al punto de ruptura, lo que permite identificar la región de ruptura a partir de la característica corriente-tensión medida. Las mediciones que se extienden a regiones de funcionamiento de kilovoltios requieren una fuente de alta tensión adecuada y una ruta de medición capaz de aplicar tensión y supervisar la corriente del dispositivo de forma simultánea.

Solución para pruebas de ruptura de IGBT de alta tensión

Las pruebas de ruptura de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) requieren barrer la tensión colector-emisor mientras se supervisa la corriente de fuga y se mantiene el cumplimiento de tensión adecuado. El analizador de dispositivos de potencia/trazador de curvas de Keysight permite la caracterización de alta tensión mediante su unidad de ultra alta tensión (UHVU), que amplía las mediciones de ruptura hasta los 10 kV. La nota de aplicación muestra una prueba de ruptura de 10 kV en la que el dispositivo medido alcanza la ruptura a aproximadamente 8 kV. El analizador de dispositivos de potencia/trazador de curvas de Keysight ofrece medición y análisis interactivos a través de EasyEXPERT Group+, lo que permite a los ingenieros configurar las condiciones de prueba, visualizar las características de corriente-tensión y evaluar el comportamiento del dispositivo en toda la región de funcionamiento de alta tensión.
Obtener presupuesto

Véase el diagrama de bloques de la solución para la tensión de ruptura de un transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión

Véase el diagrama de bloques de la solución para la prueba de ruptura de IGBT de alta tensión

Descubre los productos de nuestra solución para pruebas de ruptura de IGBT de alta tensión

Casos prácticos relacionados

Cómo probar módulos semiconductores de potencia de banda ancha

Las pruebas de módulos de alimentación de semiconductores WBG que funcionan con corrientes y anchos de banda mayores requieren pruebas de doble pulso con una sonda aislada por pulsos. Descubra cómo caracterizar los módulos de potencia de forma fiable mediante pruebas de doble pulso para resolver los problemas de medición del lado de alta tensión.

Más información

Cómo analizar la corriente de transición del modo de ahorro de energía de un MCU

Analizar y cuantificar el consumo de corriente de la MCU en los modos de reposo y activo utilizando el Keysight CX3300 para identificar ineficiencias energéticas y optimizar el rendimiento de la batería.

Más información

Cómo caracterizar dispositivos de memoria no volátil

Mida la corriente transitoria ultrarrápida en dispositivos NVM para analizar el comportamiento de conmutación y optimizar el rendimiento.

Más información

contacto logotipo

Póngase en contacto con uno de nuestros expertos

¿Necesita ayuda para encontrar la solución adecuada para usted?

Contáctenos