Cómo mejorar las mediciones de la carga de la puerta de SiC

Obtener presupuesto
Analizador de parámetros
+ Analizador de parámetros
Analizador de parámetros
+ Analizador de parámetros

Optimización de las mediciones de la carga de la puerta de SiC

Las mediciones de la carga de la puerta de un transistor de efecto de campo de óxido metálico y semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) requieren registrar la corriente de puerta y la tensión puerta-fuente, al tiempo que se controlan la tensión de drenaje, la corriente de drenaje, la excitación de la puerta y las condiciones de carga. La inductancia parásita del dispositivo y del dispositivo de prueba puede introducir oscilaciones en las formas de onda de la corriente y la tensión de la puerta, lo que puede distorsionar la curva de variación de la puerta (Qg) resultante y dificultar la identificación de la meseta de Miller.

Los parámetros de medición pueden ajustarse para obtener formas de onda más suaves que faciliten la extracción de Qg. La resistencia de la puerta puede aumentarse para suprimir las oscilaciones, mientras que la sincronización de los pulsos y la inductancia deben adaptarse a la respuesta de conmutación más lenta. La selección de la carga también influye en la curva resultante: las cargas inductivas y resistivas producen un comportamiento diferente en las formas de onda, y la configuración adecuada depende del dispositivo y de las condiciones de medición.

Solución optimizada para la medición de la carga de la puerta de SiC

Advanced Para mejorar la medición de la carga de puerta del SiC es necesario controlar la interacción entre la resistencia de puerta, el tiempo de conmutación, las condiciones de carga y los puntos de funcionamiento del dispositivo. El analizador de dispositivos de potencia / trazador de curvas de Keysight y el analizador dinámico de dispositivos de potencia / probador de doble pulso de Advanced admiten pruebas dinámicas de cambio de puerta (Qg) con diseños de Rg sustituibles que permiten evaluar diferentes valores de resistencia de puerta manteniendo una baja inductancia parásita en el bucle de puerta. Para mediciones estáticas, el analizador de dispositivos de potencia/trazador de curvas y el analizador dinámico de dispositivos de potencia/probador de doble pulso admiten pruebas de Qg de alta tensión y alta corriente. La selección de una señal de excitación de puerta, un Vdsoff y unas condiciones de carga adecuadas ayuda a reducir las fluctuaciones de la forma de onda y favorece la generación de curvas de Qg más consistentes.
Obtener presupuesto

Véase el diagrama de bloques de la solución optimizada para la medición de la carga de la puerta de SiC

Cómo mejorar la carga de la puerta de SiC.

Descubre los productos de nuestra solución optimizada para la medición de la carga de la puerta de SiC

Casos prácticos relacionados

Cómo probar semiconductores de banda ancha

La caracterización de semiconductores de banda ancha (WGB) requiere probar parámetros estáticos y dinámicos para evitar pérdidas. Aprenda a realizar las pruebas JEDEC para dispositivos WBG, incluido el encendido/apagado, la conmutación y otras pruebas estandarizadas de forma repetible.

Más información

Cómo probar módulos semiconductores de potencia de banda ancha

Las pruebas de módulos de alimentación de semiconductores WBG que funcionan con corrientes y anchos de banda mayores requieren pruebas de doble pulso con una sonda aislada por pulsos. Descubra cómo caracterizar los módulos de potencia de forma fiable mediante pruebas de doble pulso para resolver los problemas de medición del lado de alta tensión.

Más información

Cómo analizar la corriente de transición del modo de ahorro de energía de un MCU

Analizar y cuantificar el consumo de corriente de la MCU en los modos de reposo y activo utilizando el Keysight CX3300 para identificar ineficiencias energéticas y optimizar el rendimiento de la batería.

Más información

contacto logotipo

Póngase en contacto con uno de nuestros expertos

¿Necesita ayuda para encontrar la solución adecuada para usted?

Contáctenos