Como melhorar as medições da carga do gate de SiC

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Otimização das medições da carga do gate de SiC

As medições da carga da porta do transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de carboneto de silício (SiC) exigem a captura da corrente da porta e da tensão porta-fonte, ao mesmo tempo em que se controlam a tensão do dreno, a corrente do dreno, o acionamento da porta e as condições de carga. A indutância parasítica no dispositivo e no dispositivo de teste pode introduzir oscilações nas formas de onda da corrente e da tensão da porta, o que pode distorcer a curva de variação da porta (Qg) resultante e dificultar a identificação do platô de Miller.

As configurações de medição podem ser ajustadas para produzir formas de onda mais suaves para a extração de Qg. A resistência do gate pode ser aumentada para suprimir a oscilação, enquanto o tempo do pulso e a indutância devem ser coordenados com a resposta de comutação mais lenta. A seleção da carga também afeta a curva resultante: cargas indutivas e resistivas produzem comportamentos diferentes nas formas de onda, e a configuração adequada depende do dispositivo e das condições de medição.

Solução otimizada para medição da carga da porta de SiC

Para aprimorar a medição da carga de porta (Qg) em SiC, é necessário controlar a interação entre a resistência da porta, o tempo de comutação, as condições de carga e os pontos de operação do dispositivo. O Power Device Analyzer / Curve Tracer e o Advanced Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester da Keysight oferecem suporte a testes dinâmicos de variação da carga de porta (Qg) com projetos de Rg substituíveis, que permitem a avaliação de diferentes valores de resistência da porta, mantendo baixa indutância parasita no circuito da porta. Para medições estáticas, o Power Device Analyzer / Curve Tracer e o Advanced Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester oferecem suporte a testes de Qg de alta tensão e alta corrente. A seleção de condições adequadas de acionamento da porta, Vdsoff e carga ajuda a reduzir as flutuações na forma de onda e contribui para a geração de curvas de Qg mais consistentes.
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Como melhorar a carga da porta do SiC.

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