如何改善 SiC 閘極電荷的測量

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最佳化 SiC 閘極電荷量測

碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)閘極電荷量測,需要在控制汲極電壓、汲極電流、閘極驅動和負載條件的同時,擷取閘極電流與閘極-源極電壓。元件和測試夾具中的寄生電感可能會在閘極電流和閘極電壓波形中引入振盪,這可能會使產生的閘極電荷(Qg)曲線失真,並使得米勒平坦區難以辨識。

可以調整量測設定以產生更平滑的波形,以便進行 Qg 擷取。可以增加閘極電阻來抑制振盪,同時必須將脈衝時間和電感與較慢的切換響應進行協調。負載選擇也會影響產生的曲線:電感式和電阻式負載會產生不同的波形行為,且適當的組態取決於元件和量測條件。

最佳化的 SiC 閘極電荷測量解決方案

改善 SiC 閘極電荷量測需要控制閘極電阻、切換時間、負載條件和元件工作點之間的互動。Keysight Power Device Analyzer / Curve Tracer 與 Advanced Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester 支援動態閘極電荷(Qg)測試,其採用可更換的 Rg 設計,可在維持閘極迴路低雜散電感的同時,評估不同的閘極電阻值。針對靜態量測,Power Device Analyzer / Curve Tracer 與 Advanced Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester 支援高壓和高電流 Qg 測試。選擇合適的閘極驅動、Vdsoff 和負載條件有助於減少波形起伏,並支援更一致的 Qg 曲線產生。

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如何改善 SiC 閘極電荷。

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