如何改善 SiC 閘極電荷的測量

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優化 SiC 柵極電荷測量

碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的柵極電荷測量，需在控制漏極電壓、漏極電流、柵極驅動及負載條件的同時，捕捉柵極電流與柵極-源極電壓。 元件與測試治具中的寄生電感可能會在柵極電流和柵極-源極電壓波形中引入振盪，這會扭曲所得的柵極電荷變化（Qg）曲線，並導致米勒台期難以辨識。

可調整測量設定，以產生更平滑的波形，便於進行 Qg 萃取。可提高閘極電阻以抑制振盪，同時脈衝時序與電感值必須配合較慢的切換響應進行協調。負載選擇亦會影響最終的波形：感性負載與電阻性負載會產生不同的波形行為，而適當的配置則取決於元件及測量條件。

最佳化的 SiC 閘極電荷測量解決方案

要提升碳化矽 (SiC) 柵極電荷的測量精度，必須控制柵極電阻、切換時間、負載條件與元件工作點之間的相互作用。是德科技的功率元件分析儀／曲線追蹤儀以及進階動態功率元件分析儀／雙脈衝測試儀，皆支援動態柵極電荷 (Qg) 測試，其可更換的 Rg 設計可在維持柵極迴路低雜散電感的前提下，評估不同的柵極電阻值。 針對靜態測量，「功率元件分析儀／曲線追蹤儀」與「進階動態功率元件分析儀／雙脈衝測試儀」皆支援高電壓與高電流的柵極電荷 (Qg) 測試。選擇合適的柵極驅動、Vdsoff 及負載條件，有助於減少波形波動，並能生成更一致的 Qg 曲線。
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如何改善 SiC 閘極電荷。

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