如何測試寬禁帶半導體功率模組

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+ 功率 裝置分析儀

採用真實脈衝隔離探針技術對WBG半導體功率模組進行特性分析

在雙脈衝測試（DPT）系統中測試功率模組時，需測量低側與高側訊號。碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）寬禁帶（WBG）功率模組具備較離散功率元件更高的功率密度，其整合多顆場效應電晶體（FET）晶片以提升電流承載能力。高速充電技術需採用半導體 400安培的高電流、高電半導體，例如SiC與GaN。半導體半橋式功率模組半導體獨立測量高側元件源極與低側元件漏極間的電位差。當半橋切換時，該電位會隨大電壓擺幅動態變化，使得高側FET的測量極具挑戰性，尤其在閘極電壓較低時更為困難。

DPT技術是業界用於測定功率半導體性能參數的標準方法。測試工程師需要採用脈衝隔離探針技術的雙脈衝測試儀，以獲取精確的柵極電壓。該系統依賴高頻寬射頻補償技術，實現精確的高電流測量。 DPT系統應包含探針補償、偏移調整、去偏移及共模噪聲抑制等進階技術。同時需配備半自動校準程序以修正系統增益與偏移誤差，並符合JEDEC最新標準化寬禁帶器件特性化指南。

世界銀行集團半導體功率模組測試儀

測試在高電流與高頻寬下運作的寬禁帶半導體功率模組，需採用脈衝隔離探針技術以符合JEDEC JC-70寬禁帶標準（適用於氮化鎵與碳化矽）。是德科技寬禁帶元件分析儀與測試機（型號PD1550A）可對碳化矽半導體功率模組提供可重複且可靠的量測結果。其採用創新的脈衝隔離探針技術，解決高側閘極電壓特性分析的挑戰。該設備可測試最高1,360 V、1,000 A的功率模組，並配備節省時間的無焊接觸技術，用於連接待測模組。

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