ワイドバンドギャップ半導体パワーモジュールのテスト方法

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真のパルス絶縁プローブ技術を使用したWBG半導体パワーモジュールの特性評価

ダブルパルス試験（DPT）システムでパワーモジュールをテストするには、ローサイド信号とハイサイド信号の測定が必要です。炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）のワイドバンドギャップ（WBG）パワーモジュールは、複数の電界効果トランジスタ（FET）チップを組み込んで電流を増加させるため、ディスクリートパワーデバイスよりも高い電力密度を備えています。高速充電には、SiCやGaNなどの最大400 Aで動作する大電流・高電圧半導体の使用が必要です。これらの半導体の独自のハーフブリッジパワーモジュール構成では、ハイサイドデバイスのソースとローサイドデバイスのドレイン間の接合部における電圧電位を独立して測定する必要があります。この電圧電位は、ハーフブリッジがスイッチングする際に大きな電圧変動を伴って動的に変化します。このため、特に小さなゲート電圧の場合、ハイサイドFETの測定が困難になります。

DPT技術は、パワー半導体の性能パラメータを決定するための業界標準です。テストエンジニアは、正確なゲート電圧を収集するためにパルス絶縁プローブ技術を使用するダブルパルステスターを必要とします。このシステムは、正確な大電流測定を提供するために、広帯域RF補償に依存しています。DPTシステムには、プローブ補償、オフセット調整、デスキュー、コモンモードノイズ除去などの標準的な高度な測定技術が含まれている必要があります。また、システムゲインとオフセットエラーを修正するための半自動校正ルーチンも必要です。このシステムは、標準化されたWBGデバイス特性評価に関する最新のJEDECガイドラインに準拠する必要があります。

WBG半導体パワーモジュールテスター

高電流および広帯域幅で動作するWBG半導体パワーモジュールのテストには、GaNおよびSiCのJEDEC JC-70 WBG規格を満たすためにパルス絶縁プローブ技術が必要です。キーサイトWBGデバイスアナライザおよびテスター（モデルPD1550A）は、SiC半導体パワーモジュールの再現性のある信頼性の高い測定を提供します。革新的なパルス絶縁プローブ技術により、ハイサイドゲート電圧特性評価の課題を解決します。最大1,360 Vおよび1,000 Aのパワーモジュールをテストし、テスト対象モジュールを接続するための時間を節約するはんだレス接触技術を備えています。
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