Comment tester les modules de puissance à semi-conducteurs à large bande passante ?

Analyseur de dispositifs de puissance
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Caractérisation des modules de puissance à semi-conducteurs WBG à l'aide d'une technologie de sonde à isolation d'impulsion réelle

Le test d'un module de puissance dans un système de test à double impulsion (DPT) nécessite de mesurer les signaux côté bas et côté haut. Les modules d'alimentation en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) à large bande interdite (WBG) ont une densité de puissance plus élevée que les dispositifs d'alimentation discrets, incorporant plusieurs transistors à effet de champ (FET) pour augmenter le courant. Le chargement à grande vitesse nécessite l'utilisation de semi-conducteurs à courant élevé et à haute tension fonctionnant jusqu'à 400 A, tels que SiC et GaN. La configuration unique du module de puissance en demi-pont de ces semi-conducteurs nécessite une mesure indépendante du potentiel de tension à la jonction entre la source du dispositif côté haut et le drain du dispositif côté bas, qui change dynamiquement avec de grandes variations de tension lorsque le demi-pont commute. Cela rend la mesure du FET côté haut difficile, en particulier pour les petites tensions de grille.

La technique DPT est la norme industrielle pour déterminer les paramètres de performance des semi-conducteurs de puissance. Les ingénieurs d'essai ont besoin d'un testeur à double impulsion qui utilise une technologie de sonde isolée des impulsions pour obtenir une tension de grille précise. Le système s'appuie sur une compensation RF à large bande passante pour fournir une mesure précise du courant élevé. Le système DPT doit inclure des techniques de mesure avancées standard telles que la compensation de sonde, l'ajustement du décalage, le désalignement et la réjection du bruit de mode commun. Une routine d'étalonnage semi-automatique est également nécessaire pour corriger les erreurs de gain et de décalage du système. Le système doit être conforme aux dernières directives JEDEC pour la caractérisation normalisée des dispositifs WBG.

Testeur de modules de puissance à semi-conducteurs WBG

Le test des modules de puissance à semi-conducteurs WBG fonctionnant à des courants et des bandes passantes élevés nécessite une technologie de sonde isolée des impulsions pour répondre aux normes JEDEC JC-70 WBG pour GaN et SiC. L'analyseur et testeur de dispositifs WBG de Keysight (modèle PD1550A) fournit des mesures répétables et fiables des modules de puissance à semi-conducteurs SiC. Il résout les problèmes de caractérisation de la tension de grille côté haute grâce à une technologie innovante de sonde isolée par impulsion. Il teste les modules de puissance jusqu'à 1 360 V et 1 000 A, avec une technologie de contact sans soudure qui permet de gagner du temps pour connecter les modules testés.

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