광대역 갭 반도체 전력 모듈 테스트 방법

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트루 펄스 절연 프로브 기술을 사용한 WBG 반도체 전력 모듈 특성화

이중 펄스 테스트(DPT) 시스템에서 전력 모듈을 테스트하려면 로우사이드 및 하이사이드 신호를 측정해야 합니다. 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 광대역 갭(WBG) 전력 모듈은 개별 전력 디바이스보다 더 높은 전력 밀도를 가지며, 전류를 높이기 위해 여러 FET(전계 효과 트랜지스터) 칩을 통합합니다. 고속 충전에는 SiC 및 GaN과 같이 최대 400A에서 작동하는 고전류, 고전압 반도체가 필요합니다. 이러한 반도체의 고유한 하프 브리지 전력 모듈 구성은 하프 브리지 스위칭 시 큰 전압 스윙으로 동적으로 변하는 하이사이드 디바이스 소스와 로우사이드 디바이스 드레인 사이의 접합부에서 전압 전위를 독립적으로 측정해야 합니다. 이로 인해 하이사이드 FET 측정은 특히 작은 게이트 전압에서 어려움이 따릅니다.

DPT 기술은 전력 반도체 성능 파라미터를 결정하는 산업 표준입니다. 테스트 엔지니어는 정확한 게이트 전압을 수집하기 위해 펄스 절연 프로브 기술을 사용하는 이중 펄스 테스터가 필요합니다. 이 시스템은 정확한 고전류 측정을 제공하기 위해 고대역폭 RF 보상에 의존합니다. DPT 시스템에는 프로브 보상, 오프셋 조정, 디스큐잉 및 공통 모드 노이즈 제거와 같은 표준 고급 측정 기술이 포함되어야 합니다. 또한 시스템 이득 및 오프셋 오류를 수정하기 위한 반자동 교정 루틴도 필요합니다. 이 시스템은 표준화된 WBG 디바이스 특성화를 위한 최신 JEDEC 지침을 준수해야 합니다.

WBG 반도체 전력 모듈 테스터

고전류 및 대역폭에서 작동하는 WBG 반도체 전력 모듈을 테스트하려면 GaN 및 SiC용 JEDEC JC-70 WBG 표준을 충족하기 위해 펄스 절연 프로브 기술이 필요합니다. 키사이트 WBG 디바이스 분석기 및 테스터(모델 PD1550A)는 SiC 반도체 전력 모듈에 대한 반복 가능하고 신뢰할 수 있는 측정을 제공합니다. 혁신적인 펄스 절연 프로브 기술로 하이 사이드 게이트 전압 특성화 과제를 해결합니다. 이 시스템은 최대 1,360V 및 1,000A의 전력 모듈을 테스트하며, 테스트 대상 모듈 연결을 위한 시간 절약형 무납땜 접촉 기술을 제공합니다.
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