Aktivieren Sie Javascript und Browser-Cookies, um die Funktionen und die Leistung der Website zu verbessern.

Live chatten

Kontakt

Willkommen

Sie sind unterzeichnet als:

Mein Profil
Abmelden

Bitte bestätigen

Bestätigen Sie Ihr Land, um auf relevante Preise, Sonderangebote, Veranstaltungen und Kontaktinformationen.

Beginnen Sie Ihr Angebot, indem Sie ein Produkt auswählen Konfiguration auswählen

Testen von Halbleiter-Leistungsmodulen mit breiter Bandlücke

Angebot

Anwendungshinweis anzeigen

+ Power Device Analyzer

Charakterisierung von WBG-Halbleiterleistungsmodulen mit echter pulsisolierter Sonden-Technologie

Die Prüfung eines Leistungsmoduls in einem Doppelimpulsprüfsystem (DPT) erfordert die Messung von Low-Side- und High-Side-Signalen. Leistungsmodule aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) mit breiter Bandlücke (WBG) haben eine höhere Leistungsdichte als diskrete Leistungsbauteile und enthalten mehrere Feldeffekttransistor-Chips (FET), um den Strom zu erhöhen. Das Hochgeschwindigkeitsladen erfordert den Einsatz von Hochstrom- und Hochspannungshalbleitern, die mit bis zu 400 A arbeiten, wie SiC und GaN. Die einzigartige Halbbrücken-Leistungsmodulkonfiguration dieser Halbleiter erfordert eine unabhängige Messung des Spannungspotenzials am Übergang zwischen der High-Side-Bauelement-Source und dem Low-Side-Bauelement-Drain, das sich bei großen Spannungsschwankungen dynamisch ändert, wenn die Halbbrücke schaltet. Dies macht die Messung des High-Side-FET schwierig, insbesondere bei kleinen Gate-Spannungen.

Die DPT-Technik ist der Industriestandard für die Bestimmung der Leistungsparameter von Leistungshalbleitern. Testingenieure benötigen einen Doppelimpuls-Tester, der eine impulsisolierte Sonden-Technologie verwendet, um genaue Gate-Spannungen zu erfassen. Das System stützt sich auf eine HF-Kompensation mit hoher Bandbreite, um eine genaue Hochstrommessung zu ermöglichen. Das DPT-System sollte standardmäßige fortschrittliche Messtechniken wie Sondenkompensation, Offset-Anpassung, De-Skewing und Gleichtaktrauschunterdrückung umfassen. Außerdem ist eine halbautomatische Kalibrierungsroutine erforderlich, um Systemverstärkungs- und Offsetfehler zu korrigieren. Das System sollte den neuesten JEDEC-Richtlinien für die standardisierte Charakterisierung von WBG-Bauteilen entsprechen.

WBG Halbleiter-Leistungsmodul-Tester

Das Testen von WBG-Halbleiterleistungsmodulen, die mit hohen Strömen und Bandbreiten arbeiten, erfordert eine impulsisolierte Messtechnik, um die JEDEC JC-70 WBG-Normen für GaN und SiC zu erfüllen. Der Keysight WBG-Bauteilanalysator und -tester (Modell PD1550A) liefert wiederholbare, zuverlässige Messungen von SiC-Halbleiterleistungsmodulen. Er löst die Herausforderungen der High-Side-Gate-Spannungscharakterisierung mit innovativer pulsisolierter Messtechnik. Es testet Leistungsmodule bis zu 1.360 V und 1.000 A, mit einer zeitsparenden lötfreien Kontakttechnologie für den Anschluss der zu testenden Module.

Angebot