Testen von Halbleiter-Leistungsmodulen mit breiter Bandlücke

Angebot
Power Device Analyzer
+ Power Device Analyzer
Power Device Analyzer
+ Power Device Analyzer

Charakterisierung von WBG-Halbleiterleistungsmodulen mit echter pulsisolierter Sonden-Technologie

Die Prüfung eines Leistungsmoduls in einem Doppelimpulsprüfsystem (DPT) erfordert die Messung von Low-Side- und High-Side-Signalen. Leistungsmodule aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) mit breiter Bandlücke (WBG) haben eine höhere Leistungsdichte als diskrete Leistungsbauteile und enthalten mehrere Feldeffekttransistor-Chips (FET), um den Strom zu erhöhen. Das Hochgeschwindigkeitsladen erfordert den Einsatz von Hochstrom- und Hochspannungshalbleitern, die mit bis zu 400 A arbeiten, wie SiC und GaN. Die einzigartige Halbbrücken-Leistungsmodulkonfiguration dieser Halbleiter erfordert eine unabhängige Messung des Spannungspotenzials am Übergang zwischen der High-Side-Bauelement-Source und dem Low-Side-Bauelement-Drain, das sich bei großen Spannungsschwankungen dynamisch ändert, wenn die Halbbrücke schaltet. Dies macht die Messung des High-Side-FET schwierig, insbesondere bei kleinen Gate-Spannungen.

Die DPT-Technik ist der Industriestandard für die Bestimmung der Leistungsparameter von Leistungshalbleitern. Testingenieure benötigen einen Doppelimpuls-Tester, der eine impulsisolierte Sonden-Technologie verwendet, um genaue Gate-Spannungen zu erfassen. Das System stützt sich auf eine HF-Kompensation mit hoher Bandbreite, um eine genaue Hochstrommessung zu ermöglichen. Das DPT-System sollte standardmäßige fortschrittliche Messtechniken wie Sondenkompensation, Offset-Anpassung, De-Skewing und Gleichtaktrauschunterdrückung umfassen. Außerdem ist eine halbautomatische Kalibrierungsroutine erforderlich, um Systemverstärkungs- und Offsetfehler zu korrigieren. Das System sollte den neuesten JEDEC-Richtlinien für die standardisierte Charakterisierung von WBG-Bauteilen entsprechen.

WBG Halbleiter-Leistungsmodul-Tester

Das Testen von WBG-Halbleiterleistungsmodulen, die mit hohen Strömen und Bandbreiten arbeiten, erfordert eine impulsisolierte Messtechnik, um die JEDEC JC-70 WBG-Normen für GaN und SiC zu erfüllen. Der Keysight WBG-Bauteilanalysator und -tester (Modell PD1550A) liefert wiederholbare, zuverlässige Messungen von SiC-Halbleiterleistungsmodulen. Er löst die Herausforderungen der High-Side-Gate-Spannungscharakterisierung mit innovativer pulsisolierter Messtechnik. Es testet Leistungsmodule bis zu 1.360 V und 1.000 A, mit einer zeitsparenden lötfreien Kontakttechnologie für den Anschluss der zu testenden Module.
Angebot

Siehe Demo zum Testen von Leistungsmodulen mit breiter Bandlücke

Entdecken Sie die Produkte in unserer Wide-Bandgap-Power-Modul-Testlösung

Verwandte Anwendungsfälle

Wie man das PMIC-Verhalten mithilfe der Batterieemulation validiert

Die PMIC-Leistung unter realistischen Batteriebedingungen wurde mittels kontrollierter Spannungsprofile und dynamischer Reaktionstests validiert.

Mehr erfahren

Wie man die Restwelligkeit eines Gleichstromwandlers misst

Messung der Restwelligkeit und des Rauschens von DC/DC-Wandlern unter verschiedenen Betriebsbedingungen mittels programmierbarer DC-Emulation und Wellenformmessungen.

Mehr erfahren

Wie man ein umfassendes Inline-IC-Strukturscreening erreicht

Führen Sie eine umfassende Inline-Strukturprüfung von integrierten Schaltungen für die Automobilindustrie mittels kapazitiver elektrischer Strukturprüfung durch.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Nehmen Sie Kontakt mit einem unserer Experten auf

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt