Wie man die Gate-Ladungsmessungen bei SiC verbessert

+ Parameteranalysator

Optimierung der SiC-Gate-Ladungsmessungen

Die Messung der Gate-Ladung von Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs erfordert die Erfassung von Gate-Strom und Gate-Source-Spannung unter gleichzeitiger Kontrolle von Drain-Spannung, Drain-Strom, Gate-Ansteuerung und Lastbedingungen. Parasitäre Induktivitäten im Bauelement und in der Testvorrichtung können Schwingungen in den Gate-Strom- und Gate-Spannungs-Signalformen hervorrufen, was die resultierende Gate-Ladungsänderungskurve (Qg) verzerren und die Identifizierung des Miller-Plateaus erschweren kann.

Die Messeinstellungen lassen sich anpassen, um glattere Signalverläufe für die Qg-Extraktion zu erzielen. Der Gate-Widerstand kann erhöht werden, um Schwingungen zu unterdrücken, während Impulszeitpunkt und Induktivität auf die langsamere Schaltreaktion abgestimmt werden müssen. Auch die Lastwahl beeinflusst die resultierende Kurve: Induktive und ohmsche Lasten erzeugen unterschiedliches Signalverhalten, und die geeignete Konfiguration hängt vom Gerät und den Messbedingungen ab.

Optimierte Lösung zur Messung der SiC-Gate-Ladung

Die Verbesserung der Gate-Ladungsmessung bei SiC erfordert die Kontrolle der Wechselwirkung zwischen Gate-Widerstand, Schaltzeit, Lastbedingungen und Betriebspunkten des Bauelements. Der Keysight Power Device Analyzer / Curve Tracer und Advanced Der dynamische Leistungsbauelementanalysator/Doppelimpuls-Tester unterstützt dynamische Gate-Änderungstests (Qg) mit austauschbaren Rg-Designs, die die Auswertung verschiedener Gate-Widerstandswerte bei gleichzeitig geringer Streuinduktivität im Gate-Loop ermöglichen. Für statische Messungen stehen der Leistungsbauelementanalysator/Kennlinienschreiber und der Leistungsbauelementanalysator/Kennlinienschreiber zur Verfügung. Advanced Der dynamische Leistungsanalysator/Doppelimpuls-Tester unterstützt Qg-Prüfungen bei hohen Spannungen und Strömen. Die Auswahl geeigneter Gate-Ansteuerungs-, Vdsoff- und Lastbedingungen trägt zur Reduzierung von Wellenformschwankungen bei und ermöglicht eine konsistentere Qg-Kurvengenerierung.

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