Comment améliorer les mesures de la charge de grille du SiC

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Optimisation des mesures de la charge de grille du SiC

Les mesures de la charge de grille d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) nécessitent de capturer le courant de grille et la tension grille-source tout en contrôlant la tension de drain, le courant de drain, la commande de grille et les conditions de charge. L'inductance parasite présente dans le dispositif et le dispositif de test peut introduire des oscillations dans les formes d'onde du courant de grille et de la tension de grille, ce qui peut fausser la courbe de variation de la charge de grille (Qg) obtenue et rendre difficile l'identification du plateau de Miller.

Les paramètres de mesure peuvent être ajustés afin d'obtenir des formes d'onde plus lisses pour l'extraction du Qg. La résistance de la porte peut être augmentée pour atténuer les oscillations, tandis que la durée des impulsions et l'inductance doivent être adaptées à la réponse de commutation plus lente. Le choix de la charge influe également sur la courbe obtenue : les charges inductives et résistives produisent des comportements de forme d'onde différents, et la configuration appropriée dépend du dispositif et des conditions de mesure.

Solution optimisée de mesure de la charge de grille en SiC

Advanced Pour améliorer la mesure de la charge de grille du SiC, il est nécessaire de maîtriser l’interaction entre la résistance de grille, le temps de commutation, les conditions de charge et les points de fonctionnement du dispositif. L’analyseur de dispositifs de puissance / traceur de courbes de Keysight et l’analyseur de dispositifs de puissance dynamique / testeur à double impulsion de Advanced prennent en charge les tests dynamiques de variation de la charge de grille (Qg) grâce à des conceptions Rg remplaçables qui permettent d’évaluer différentes valeurs de résistance de grille tout en maintenant une faible inductance parasite dans la boucle de grille. Pour les mesures statiques, l’analyseur de dispositifs de puissance / traceur de courbes et l’analyseur dynamique de dispositifs de puissance / testeur à double impulsion prennent en charge les tests Qg haute tension et haut courant. Le choix d’une commande de grille, d’une tension Vdsoff et de conditions de charge adaptées contribue à réduire les fluctuations des formes d’onde et permet de générer des courbes Qg plus homogènes.
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Comment améliorer la charge de grille du SiC.

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