Comment caractériser la charge de grille d'un MOSFET au SiC

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Mesurer avec précision la charge de grille du SiC

La caractérisation de la charge de grille d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) nécessite une excitation contrôlée de la grille tout en mesurant la tension de grille, le courant de grille, la tension de drain et le courant de drain dans des conditions de fonctionnement définies. Les essais statiques séparent les mesures de haute tension et de courant élevé, puis combinent les courbes obtenues, tandis que les essais dynamiques intègrent le courant de grille mesuré pendant la commutation afin de déterminer la charge de grille.

Les essais dynamiques utilisent un circuit d'essai à double impulsion et permettent d'obtenir la courbe de charge de grille en fonction du temps en intégrant le courant de grille, avant de la transformer, avec la forme d'onde de la tension grille-source, en une caractéristique Qg-Vgs. Les paramètres de mesure, tels que la résistance de grille, le temps de commutation, la charge inductive, la tension de grille, la tension de drain et le courant de drain, doivent être configurés de manière à contrôler les oscillations et à garantir une extraction fiable des paramètres.

Solution de mesure de la charge de grille des MOSFET au SiC

La caractérisation de la charge de grille (Qg) nécessite de contrôler les conditions de fonctionnement en tension et en courant du dispositif tout en mesurant le comportement du courant de grille et de la tension de grille tout au long du processus de commutation. Les essais statiques réalisés à l'aide de l'analyseur de dispositifs de puissance / traceur de courbes Keysight B1506A permettent d'effectuer des mesures distinctes de la charge de grille (Qg) à haute tension et à courant élevé, puis d'ajuster les résultats pour obtenir une courbe complète de charge de grille. Les essais dynamiques réalisés à l'aide du testeur à double impulsion Keysight PD1550A utilisent une approche par double impulsion, intégrant le courant de grille pour déterminer la charge de grille (Qg) et en établissant une corrélation avec la tension grille-source.
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Voir le schéma fonctionnel de la solution de mesure de la charge de grille d'un MOSFET au SiC

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