Charakterisierung der Gate-Ladung von SiC-MOSFETs

Angebot anfordern
Power Device Analyzer / Curve Tracer
+ Leistungsbauelementanalysator / Kennlinienschreiber
Power Device Analyzer / Curve Tracer
+ Leistungsbauelementanalysator / Kennlinienschreiber

SiC-Gate-Ladung genau messen

Die Charakterisierung der Gate-Ladung von Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs erfordert eine kontrollierte Gate-Anregung bei gleichzeitiger Messung von Gate-Spannung, Gate-Strom, Drain-Spannung und Drain-Strom unter definierten Betriebsbedingungen. Statische Messungen trennen Hochspannungs- und Hochstrommessungen und kombinieren die resultierenden Kurven, während dynamische Messungen den gemessenen Gate-Strom während des Schaltvorgangs integrieren, um die Gate-Ladung zu bestimmen.

Die dynamische Prüfung nutzt eine Doppelimpuls-Testschaltung und ermittelt die Gate-Ladungs-Zeit-Kennlinie durch Integration des Gate-Stroms, bevor dieser zusammen mit der Gate-Source-Spannungs-Wellenform in eine Qg-Vgs-Kennlinie transformiert wird. Messparameter wie Gate-Widerstand, Schaltzeit, induktive Last, Gate-Spannung, Drain-Spannung und Drain-Strom müssen so konfiguriert werden, dass Schwingungen vermieden und eine zuverlässige Parameterbestimmung ermöglicht wird.

Lösung zur Messung der Gate-Ladung von SiC-MOSFETs

Die Charakterisierung der Gate-Ladung (Qg) erfordert die Kontrolle der Spannungs- und Strombetriebsbedingungen des Bauelements, während gleichzeitig das Verhalten von Gate-Strom und Gate-Spannung während des Schaltvorgangs gemessen wird. Statische Tests mit dem Keysight B1506A Leistungselektronik-Analysator/Kurvenschreiber führen separate Hochspannungs- und Hochstrom-Qg-Messungen durch und passen die Ergebnisse zu einer vollständigen Gate-Ladungskurve an. Dynamische Tests mit dem Keysight PD1550A Doppelpuls-Tester verwenden ein Doppelpuls-Testverfahren, bei dem der Gate-Strom zur Bestimmung von Qg integriert und mit der Gate-Source-Spannung korreliert wird.
Angebot anfordern

Siehe Blockdiagramm der Lösung zur Messung der Gate-Ladung von SiC-MOSFETs

Siehe Blockdiagramm der Lösung zur Messung der Gate-Ladung von SiC-MOSFETs

Entdecken Sie Produkte in unserer Lösung zur Messung der Gate-Ladung von SiC-MOSFETs.

Verwandte Anwendungsfälle

Wie man die IV-Eigenschaften von LEDs bewertet

Die Charakterisierung von Strom und Spannung (IV) für energieeffiziente LEDs erfordert die Fähigkeit, diese gleichzeitig zu erzeugen und zu messen. Erfahren Sie, wie Sie die IV-Eigenschaften von zwei- und dreipoligen Geräten mit einem Quell-/Messgerät bewerten können.

Mehr erfahren

Testen von Halbleiter-Leistungsmodulen mit breiter Bandlücke

Das Testen von WBG-Halbleiterleistungsmodulen, die mit höheren Strömen und Bandbreiten arbeiten, erfordert Doppelimpulsprüfungen mit einem impulsisolierten Tastkopf. Erfahren Sie, wie Sie Leistungsmodule mithilfe der Doppelimpulsprüfung zuverlässig charakterisieren können, um die Herausforderungen der High-Side-Messung zu lösen.

Mehr erfahren

Wie man den Übergangsstrom im Energiesparmodus von MCUs analysiert

Analysieren und quantifizieren Sie den Stromverbrauch von MCUs über Schlaf- und Aktivmodi hinweg mit dem Keysight CX3300, um Stromineffizienzen zu identifizieren und die Batterieleistung zu optimieren.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Kontaktieren Sie einen unserer Experten

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt