Como caracterizar a carga da porta de um MOSFET de SiC
Medir com precisão a carga da porta de SiC
A caracterização da carga da porta do transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de carboneto de silício (SiC) requer uma excitação controlada da porta, enquanto se medem a tensão da porta, a corrente da porta, a tensão do dreno e a corrente do dreno sob condições operacionais definidas. Os testes estáticos separam as medições de alta tensão e alta corrente e combinam as curvas resultantes, enquanto os testes dinâmicos integram a corrente da porta medida durante a comutação para calcular a carga da porta.
O teste dinâmico utiliza um circuito de teste de pulso duplo e obtém a curva de carga da porta em função do tempo por meio da integração da corrente da porta, antes de transformá-la, juntamente com a forma de onda da tensão porta-fonte, em uma característica Qg-Vgs. As configurações de medição, tais como resistência da porta, tempo de comutação, carga indutiva, tensão da porta, tensão do dreno e corrente do dreno, devem ser definidas para controlar a oscilação e garantir a extração confiável dos parâmetros.
Solução para medição da carga de porta do MOSFET de SiC
Veja o diagrama de blocos da solução para medição da carga de porta do MOSFET de SiC
Conheça os produtos da nossa solução para medição da carga de porta de MOSFETs de SiC
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PD1550A Analisador avançado de dispositivos de potência dinâmica / Testador de pulso duplo
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B1506A Analisador de dispositivos de potência/traçador de curvas para projeto de circuitos
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