Cómo caracterizar la carga de la puerta de un MOSFET de SiC

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Medir con precisión la carga de la puerta de SiC

La caracterización de la carga de la puerta de un transistor de efecto de campo de óxido metálico y semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) requiere una excitación controlada de la puerta, al tiempo que se miden la tensión de puerta, la corriente de puerta, la tensión de drenaje y la corriente de drenaje en condiciones de funcionamiento definidas. En los ensayos estáticos se separan las mediciones de alta tensión y alta corriente y se combinan las curvas resultantes, mientras que en los ensayos dinámicos se integra la corriente de puerta medida durante la conmutación para obtener la carga de la puerta.

Las pruebas dinámicas utilizan un circuito de prueba de doble pulso y obtienen la curva de carga de la puerta en función del tiempo mediante la integración de la corriente de la puerta, antes de transformarla, junto con la forma de onda de la tensión puerta-fuente, en una característica Qg-Vgs. Los parámetros de medición, como la resistencia de la puerta, el tiempo de conmutación, la carga inductiva, la tensión de la puerta, la tensión del drenaje y la corriente del drenaje, deben configurarse para controlar la oscilación y garantizar una extracción fiable de los parámetros.

Solución para la medición de la carga de la puerta de los MOSFET de SiC

La caracterización de la carga de puerta (Qg) requiere controlar las condiciones de funcionamiento de tensión y corriente del dispositivo, al tiempo que se mide el comportamiento de la corriente y la tensión de puerta durante todo el proceso de conmutación. Las pruebas estáticas con el analizador de dispositivos de potencia/trazador de curvas Keysight B1506A realizan mediciones separadas de Qg a alta tensión y alta corriente, y ajustan los resultados en una curva completa de carga de puerta. Las pruebas dinámicas con el probador de doble pulso Keysight PD1550A utilizan un método de prueba de doble pulso, integrando la corriente de puerta para obtener Qg y correlacionándola con la tensión puerta-fuente.
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Véase el diagrama de bloques de la solución para la medición de la carga de la puerta de un MOSFET de SiC

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