Wie man die Durchbruchspannung eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate misst

+ Parameteranalysator

Messung der Durchschlagscharakteristik von Hochspannungs-IGBTs

Zur Charakterisierung des Durchbruchverhaltens von IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) ist es erforderlich, eine kontrollierte Kollektor-Emitter-Spannung anzulegen und gleichzeitig den resultierenden Kollektorleckstrom zu messen. Der Messaufbau muss eine ausreichende Hochspannungsversorgung ermöglichen und gleichzeitig geringe Leckströme vor dem Durchbruch auflösen können. Die Spannungsbegrenzung wird entsprechend der maximalen Kollektorspannung des Bauelements konfiguriert, sodass der Spannungsdurchlauf innerhalb der vorgesehenen Messbedingungen bleibt.

Beim Messverfahren wird die Kollektorspannung variiert, während gleichzeitig der Strom durch das Prüfobjekt überwacht wird. Der Leckstrom bleibt zunächst relativ gering und steigt dann an, wenn sich das Bauelement dem Durchbruch nähert. Dadurch lässt sich der Durchbruchbereich anhand der gemessenen Strom-Spannungs-Kennlinie identifizieren. Messungen im Kilovolt-Bereich erfordern eine geeignete Hochspannungsquelle und einen Messpfad, der die gleichzeitige Anlegen von Spannung und die Überwachung des Bauelementstroms ermöglicht.

Hochspannungs-IGBT-Durchschlagstestlösung

Für die Durchbruchprüfung von IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) ist es erforderlich, die Kollektor-Emitter-Spannung zu variieren, während gleichzeitig der Leckstrom überwacht und die zulässige Spannung eingehalten wird. Der Keysight Power Device Analyzer/Curve Tracer unterstützt die Hochspannungscharakterisierung mit seiner Ultra High Voltage Unit (UHVU), die Durchbruchmessungen bis zu 10 kV ermöglicht. Die Applikationsschrift beschreibt einen 10-kV-Durchbruchtest, bei dem das gemessene Bauelement bei etwa 8 kV den Durchbruch erreicht. Der Keysight Power Device Analyzer/Curve Tracer bietet interaktive Mess- und Analysefunktionen über EasyEXPERT Group+, mit denen Ingenieure Testbedingungen konfigurieren, Strom-Spannungs-Kennlinien anzeigen und das Verhalten des Bauelements im gesamten Hochspannungsbereich analysieren können.

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