如何測量絕緣閘極雙極性電晶體的擊穿電壓

自放電分析儀
+ 參數分析儀

測量高壓 IGBT 的擊穿特性

要對絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)進行擊穿特性分析,必須施加受控的集電極-發射極電壓,同時測量由此產生的集電極洩漏電流。測量系統必須具備足夠的高壓供電能力,同時能精確偵測擊穿前的微小洩漏電流。電壓順應性應依據元件的最大集電極電壓規格進行設定,以確保電壓掃描範圍始終維持在預定的測量條件內。

測量過程會掃描集電極電壓,同時監測被測裝置的電流。在裝置接近擊穿之前,洩漏電流保持在相對較低的水平,隨後才會增加,這使得我們能夠根據測得的電流-電壓特性來識別擊穿區域。若測量範圍延伸至千伏級工作區域,則需要配備合適的高壓電源及測量路徑,以同時施加電壓並監測裝置電流。

高壓 IGBT 擊穿測試解決方案

絕緣閘極雙極電晶體(IGBT)的擊穿測試,需在監測漏電流並維持適當電壓順應性的同時,掃描集電極-發射極電壓。是德科技(Keysight)的功率元件分析儀/曲線追蹤儀透過其「超高壓模組」(UHVU),支援高壓特性分析,將擊穿測量範圍延伸至 10 kV。 本應用筆記示範了一項 10 kV 擊穿測試,其中被測元件在約 8 kV 時發生擊穿。是德科技功率元件分析儀/曲線追蹤儀透過 EasyEXPERT Group+ 提供互動式測量與分析功能,讓工程師能夠設定測試條件、顯示電流-電壓特性,並評估元件在高壓工作區域內的行為表現。

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