如何測量絕緣閘極雙極性電晶體的擊穿電壓

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量測高壓 IGBT 崩潰特性

絕緣柵雙極電晶體(IGBT)崩潰特性分析需要施加受控的集極-射極電壓,同時量測所產生的集極漏電流。量測設定必須提供充足的高壓源極供應能力,同時在崩潰前解析出低漏電流。電壓合規性是根據裝置的最大集極電壓規格進行配置,因此電壓掃描會維持在預期的量測條件內。

量測過程會掃描集極電壓,同時監控流經待測裝置的電流。在裝置接近崩潰之前,漏電流維持相對較低,隨後才增加,這使得您可以從量測到的電流-電壓特性中識別出崩潰區域。延伸至千伏(kV)運作區域的量測,需要適當的高壓源極與量測路徑,以能夠同時施加電壓並監控裝置電流。

高壓 IGBT 擊穿測試解決方案

絕緣柵雙極電晶體(IGBT)崩潰測試需要掃描集極-射極電壓,同時監控漏電流並維持適當的電壓合規性。Keysight Power Device Analyzer/Curve Tracer 支援使用其超高壓單元(UHVU)進行高壓特性分析,該單元將崩潰量測範圍延伸至 10 kV。此應用指南展示了一項 10 kV 崩潰測試,其中被測裝置在大約 8 kV 時達到崩潰。Keysight Power Device Analyzer / Curve Tracer 透過 EasyEXPERT Group+ 提供互動式量測與分析,讓工程師能夠配置測試條件、顯示電流-電壓特性,並評估高壓運作區域中的裝置行為。

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