Como medir a tensão de ruptura de um transistor bipolar de porta isolada

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Medir as características de ruptura do IGBT de alta tensão

A caracterização da ruptura do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) requer a aplicação de uma tensão coletor-emissor controlada, enquanto se mede a corrente de fuga do coletor resultante. A configuração de medição deve oferecer capacidade suficiente para fornecer alta tensão e, ao mesmo tempo, detectar correntes de fuga baixas antes da ruptura. A conformidade de tensão é configurada de acordo com a especificação da tensão máxima do coletor do dispositivo, de modo que a varredura de tensão permaneça dentro das condições de medição pretendidas.

O processo de medição varia a tensão do coletor enquanto monitora a corrente que passa pelo dispositivo em teste. A corrente de fuga permanece relativamente baixa antes de aumentar à medida que o dispositivo se aproxima da ruptura, permitindo que a região de ruptura seja identificada a partir da característica corrente-tensão medida. Medições que se estendem a regiões operacionais na faixa dos quilovolts exigem uma fonte de alta tensão adequada e um circuito de medição capaz de aplicar tensão e monitorar a corrente do dispositivo simultaneamente.

Solução para teste de ruptura de IGBTs de alta tensão

O teste de ruptura do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) requer a variação da tensão coletor-emissor, ao mesmo tempo em que se monitora a corrente de fuga e se mantém a conformidade de tensão adequada. O Analisador de Dispositivos de Potência/Curve Tracer da Keysight oferece suporte à caracterização de alta tensão por meio de sua Unidade de Ultra Alta Tensão (UHVU), que amplia as medições de ruptura até 10 kV. A nota de aplicação demonstra um teste de ruptura de 10 kV no qual o dispositivo medido atinge a ruptura a aproximadamente 8 kV. O Analisador de Dispositivos de Potência/Curve Tracer da Keysight oferece medição e análise interativas por meio do EasyEXPERT Group+, permitindo que os engenheiros configurem as condições de teste, exibam características de corrente-tensão e avaliem o comportamento do dispositivo em toda a região de operação de alta tensão.
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Veja o diagrama de blocos da solução para a tensão de ruptura do transistor bipolar de porta isolada de alta tensão

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