절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 항복 전압 측정 방법

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고전압 IGBT 항복 특성 측정

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 항복 특성 분석을 위해서는 결과 콜렉터 누설 전류를 측정하는 동시에 제어된 콜렉터-이미터 전압을 인가해야 합니다. 측정 설정은 항복 전 낮은 누설 전류를 분해하는 동시에 충분한 고전압 소싱 기능을 제공해야 합니다. 전압 규정 준수는 디바이스의 최대 콜렉터 전압 사양에 따라 구성되므로, 전압 스위프가 의도된 측정 조건 내에서 유지됩니다.

측정 프로세스는 피시험 디바이스의 전류를 모니터링하면서 콜렉터 전압을 스위프합니다. 누설 전류는 디바이스가 항복에 가까워짐에 따라 증가하기 전에는 상대적으로 낮게 유지되며, 이를 통해 측정된 전류-전압 특성에서 항복 영역을 식별할 수 있습니다. 킬로볼트 동작 영역으로 확장되는 측정에는 전압을 동시에 인가하고 디바이스 전류를 모니터링할 수 있는 적절한 고전압 소스 및 측정 경로가 필요합니다.

고전압 IGBT 파괴 시험 솔루션

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 항복 테스트는 적절한 전압 규정을 유지하면서 누설 전류를 모니터링하고 콜렉터-이미터 전압을 스위프해야 합니다. 키사이트 전력 디바이스 분석기/커브 트레이서는 항복 측정을 10kV까지 확장하는 초고전압 유닛(UHVU)을 사용하여 고전압 특성화를 지원합니다. 이 어플리케이션 노트에서는 측정된 디바이스가 약 8kV에서 항복에 도달하는 10kV 항복 테스트를 시연합니다. 키사이트 전력 디바이스 분석기/커브 트레이서는 EasyEXPERT Group+를 통해 대화형 측정 및 분석을 제공하므로, 엔지니어가 테스트 조건을 구성하고 전류-전압 특성을 표시하며 고전압 동작 영역에서 디바이스 동작을 평가할 수 있습니다.
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