절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 항복 전압 측정 방법

+ 파라미터 분석기

고전압 IGBT의 항복 특성 측정

절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 파괴 특성 분석을 위해서는 제어된 콜렉터-이미터 전압을 인가하면서 이에 따른 콜렉터 누설 전류를 측정해야 합니다. 측정 장치는 파괴 발생 전의 미세한 누설 전류를 정확히 감지할 수 있을 뿐만 아니라, 충분한 고전압 공급 능력을 갖추어야 합니다. 전압 컴플라이언스는 소자의 최대 콜렉터 전압 사양에 따라 설정되므로, 전압 스윕은 의도된 측정 조건 범위 내에서 유지됩니다.

측정 과정에서는 피측정 소자를 통과하는 전류를 모니터링하면서 콜렉터 전압을 변화시킵니다. 누설 전류는 소자가 항복 상태에 가까워질 때까지 비교적 낮은 수준을 유지하다가 점차 증가하므로, 측정된 전류-전압 특성 곡선을 통해 항복 영역을 식별할 수 있습니다. 킬로볼트 단위의 작동 영역까지 측정하려면 전압을 인가하고 소자 전류를 동시에 모니터링할 수 있는 적절한 고전압 소스와 측정 경로가 필요합니다.

고전압 IGBT 파괴 시험 솔루션

절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 항복 시험을 수행하려면 누설 전류를 모니터링하고 적절한 전압 컴플라이언스를 유지하면서 콜렉터-이미터 전압을 스윕해야 합니다. 키사이트 파워 디바이스 분석기/커브 트레이서는 초고전압 유닛(UHVU)을 사용하여 고전압 특성 분석을 지원하며, 이를 통해 항복 측정 범위를 10 kV까지 확장할 수 있습니다. 이 애플리케이션 노트에서는 측정 대상 소자가 약 8 kV에서 파손에 이르는 10 kV 파손 시험을 시연합니다. 키사이트 파워 디바이스 분석기/커브 트레이서는 EasyEXPERT Group+를 통해 대화형 측정 및 분석 기능을 제공하여, 엔지니어가 시험 조건을 구성하고, 전류-전압 특성을 표시하며, 고전압 작동 영역 전반에 걸쳐 소자의 동작을 평가할 수 있도록 지원합니다.

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