NVM 장치 개발을 가속화하는 방법

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NVM 스위칭 동작 이해하기

PCRAM, MRAM, RRAM과 같은 신흥 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 성능, 신뢰성 및 확장성을 향상시키기 위해 과도 스위칭 거동에 대한 정밀한 특성 분석이 필요합니다. 이러한 소자는 대개 100 ns 미만의 빠른 세트/리셋 펄스에 의존하기 때문에, 정확한 전류 파형 측정은 개발에 있어 매우 중요합니다.

엔지니어들은 수백만 번에 달하는 스위칭 사이클에 걸쳐 빠른 과도 전류와 장기적인 신뢰성 거동을 모두 포착해야 합니다. 기존의 측정 방식은 충분한 대역폭, 동적 범위 및 메모리 용량을 갖추지 못해 이러한 복잡한 거동을 효과적으로 분석하는 데 한계가 있습니다.

NVM 과도 현상 분석 및 개발 솔루션

첨단 반도체 소자의 빠른 과도 전류 거동을 포착하려면 스위칭 동역학을 정확하게 관찰하기 위해 높은 대역폭의 측정과 정밀한 타이밍 제어가 필요합니다. 키사이트 CX3324A 소자 전류 파형 분석기는 최대 200 MHz의 대역폭과 초당 1 기가샘플(GSa/s)의 샘플링 속도를 제공하여 급격한 전류 변화를 상세하게 시각화할 수 있게 해줍니다. B1500A 파라미터 분석기와 통합하면, 이 솔루션은 단일 설정 내에서 전류-전압(IV), 펄스 IV 및 신뢰성 테스트를 지원합니다. 이러한 기능들을 종합적으로 활용하면 비휘발성 메모리(NVM)에 대한 포괄적인 특성 분석을 수행할 수 있어, 엔지니어들이 소자 성능을 최적화하고 신뢰성을 향상시키며 개발 워크플로우를 가속화하는 데 도움이 됩니다.

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