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Comprender el comportamiento de conmutación de la memoria no volátil (NVM)

Las tecnologías emergentes de memoria no volátil (NVM), como la PCRAM, la MRAM y la RRAM, requieren una caracterización precisa del comportamiento de conmutación transitoria para mejorar el rendimiento, la fiabilidad y la escalabilidad. Estos dispositivos se basan en pulsos rápidos de activación y desactivación, a menudo inferiores a 100 ns, por lo que la medición precisa de la forma de onda de la corriente resulta fundamental para su desarrollo.

Los ingenieros deben registrar tanto las corrientes transitorias rápidas como el comportamiento de fiabilidad a largo plazo a lo largo de millones de ciclos de conmutación. Los métodos de medición tradicionales carecen del ancho de banda, el rango dinámico y la capacidad de memoria suficientes, lo que limita la capacidad de analizar estos comportamientos complejos de forma eficaz.

Solución de análisis y desarrollo de transitorios de NVM

Para capturar el comportamiento de las corrientes transitorias rápidas en dispositivos semiconductores avanzados se requieren mediciones de gran ancho de banda y un control preciso de la sincronización, con el fin de observar con exactitud la dinámica de conmutación. El analizador de formas de onda de corriente de dispositivos CX3324A de Keysight ofrece un ancho de banda de hasta 200 MHz y una frecuencia de muestreo de 1 gigamuestra por segundo (GSa/s), lo que permite visualizar con detalle los cambios rápidos de corriente. Cuando se integra con el analizador de parámetros B1500A, la solución permite realizar pruebas de corriente-tensión (IV), IV pulsada y de fiabilidad en una configuración unificada. En conjunto, estas capacidades permiten una caracterización exhaustiva de la memoria no volátil (NVM), lo que ayuda a los ingenieros a optimizar el rendimiento de los dispositivos, mejorar la fiabilidad y acelerar los flujos de trabajo de desarrollo.
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