SiC 게이트 전하 측정 정확도를 높이는 방법

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SiC 게이트 전하 측정 최적화

실리콘 카바이드(SiC) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트 전하 측정을 위해서는 드레인 전압, 드레인 전류, 게이트 구동 및 부하 조건을 제어하면서 게이트 전류와 게이트-소스 전압을 측정해야 합니다. 소자 및 테스트 고정구 내의 기생 인덕턴스는 게이트 전류 및 게이트 전압 파형에 발진 현상을 유발할 수 있으며, 이로 인해 결과적인 게이트 전하 변화(Qg) 곡선이 왜곡되고 밀러 평탄부(Miller plateau)를 식별하기 어려워질 수 있습니다.

Qg 추출을 위해 더 매끄러운 파형을 얻도록 측정 설정을 조정할 수 있습니다. 발진 현상을 억제하기 위해 게이트 저항을 높일 수 있지만, 펄스 타이밍과 인덕턴스는 더 느린 스위칭 응답 속도에 맞춰 조정해야 합니다. 부하 선택 또한 결과 파형에 영향을 미칩니다. 유도성 부하와 저항성 부하는 서로 다른 파형 거동을 보이며, 적절한 구성은 소자와 측정 조건에 따라 달라집니다.

최적화된 SiC 게이트 전하 측정 솔루션

SiC 게이트 전하 측정을 개선하려면 게이트 저항, 스위칭 시간, 부하 조건 및 소자 동작점 간의 상호작용을 제어해야 합니다. 키사이트(Keysight)의 파워 디바이스 분석기/커브 트레이서(Power Device Analyzer / Curve Tracer)와 어드밴스드 다이내믹 파워 디바이스 분석기/더블 펄스 테스터(Advanced Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester)는 교체 가능한 Rg 설계를 통해 게이트 루프에서 낮은 표유 인덕턴스를 유지하면서 다양한 게이트 저항 값을 평가할 수 있는 동적 게이트 전하(Qg) 테스트를 지원합니다. 정적 측정의 경우, 파워 디바이스 분석기/커브 트레이서 및 어드밴스드 다이내믹 파워 디바이스 분석기/더블 펄스 테스터는 고전압 및 고전류 Qg 테스트를 지원합니다. 적절한 게이트 구동, Vdsoff 및 부하 조건을 선택하면 파형 변동을 줄이고 보다 일관된 Qg 곡선 생성을 지원할 수 있습니다.
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