SiC 게이트 전하 측정 정확도를 높이는 방법

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SiC 게이트 전하 측정 최적화

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 게이트 전하 측정은 드레인 전압, 드레인 전류, 게이트 구동 및 부하 조건을 제어하는 동시에 게이트 전류와 게이트-소스 전압을 캡처해야 합니다. 소자 및 테스트 고정 장치의 기생 인덕턴스는 게이트 전류 및 게이트 전압 파형에 발진을 유발할 수 있으며, 이는 결과적인 게이트 전하(Qg) 곡선을 왜곡하고 밀러 플래토(Miller plateau)를 식별하기 어렵게 만들 수 있습니다.

Qg 추출을 위해 더 부드러운 파형을 생성하도록 측정 설정을 조정할 수 있습니다. 발진을 억제하기 위해 게이트 저항을 높일 수 있으며, 느려진 스위칭 응답에 맞춰 펄스 타이밍과 인덕턴스를 조정해야 합니다. 부하 선택도 결과 곡선에 영향을 미칩니다. 유도성 부하와 저항성 부하는 서로 다른 파형 거동을 생성하며, 적절한 구성은 소자 및 측정 조건에 따라 달라집니다.

최적화된 SiC 게이트 전하 측정 솔루션

SiC 게이트 전하 측정을 개선하려면 게이트 저항, 스위칭 시간, 부하 조건 및 소자 동작 점 간의 상호 작용을 제어해야 합니다. 키사이트 파워 디바이스 Analyzer / 커브 트레이서 및 고급 동적 전력 소자 분석기 / 펄스 테스터는 게이트 루프에서 낮은 표면 인덕턴스를 유지하면서 다양한 게이트 저항 값을 평가할 수 있는 교체 가능한 Rg 설계를 통해 동적 게이트 전하(Qg) 테스트를 지원합니다. 정적 측정을 위해 파워 디바이스 Analyzer / 커브 트레이서 및 고급 동적 전력 소자 분석기 / 펄스 테스터는 고전압 및 고전류 Qg 테스트를 지원합니다. 적절한 게이트 드라이브, Vdsoff 및 부하 조건을 선택하면 파형 변동을 줄이고 더 일관된 Qg 곡선 생성을 지원할 수 있습니다.

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