Come migliorare le misurazioni della carica di gate del SiC
Ottimizzazione delle misurazioni della carica di gate del SiC
Le misurazioni della carica di gate dei transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) in carburo di silicio (SiC) richiedono l'acquisizione della corrente di gate e della tensione gate-source, controllando al contempo la tensione di drain, la corrente di drain, la pilotatura del gate e le condizioni di carico. L'induttanza parassita nel dispositivo e nel dispositivo di prova può introdurre oscillazioni nelle forme d'onda della corrente di gate e della tensione di gate, il che può distorcere la curva di variazione di gate (Qg) risultante e rendere difficile l'identificazione del plateau di Miller.
Le impostazioni di misura possono essere regolate per ottenere forme d'onda più regolari ai fini dell'estrazione del Qg. È possibile aumentare la resistenza del gate per sopprimere le oscillazioni, mentre la temporizzazione degli impulsi e l'induttanza devono essere coordinate con la risposta di commutazione più lenta. Anche la scelta del carico influisce sulla curva risultante: i carichi induttivi e resistivi producono comportamenti diversi delle forme d'onda e la configurazione appropriata dipende dal dispositivo e dalle condizioni di misura.
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