Come migliorare le misurazioni della carica di gate del SiC

Preventivo
Analizzatore di parametri
+ Analizzatore di parametri
Analizzatore di parametri
+ Analizzatore di parametri

Ottimizzazione delle misurazioni della carica di gate del SiC

Le misurazioni della carica di gate dei transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) in carburo di silicio (SiC) richiedono l'acquisizione della corrente di gate e della tensione gate-source, controllando al contempo la tensione di drain, la corrente di drain, la pilotatura del gate e le condizioni di carico. L'induttanza parassita nel dispositivo e nel dispositivo di prova può introdurre oscillazioni nelle forme d'onda della corrente di gate e della tensione di gate, il che può distorcere la curva di variazione di gate (Qg) risultante e rendere difficile l'identificazione del plateau di Miller.

Le impostazioni di misura possono essere regolate per ottenere forme d'onda più regolari ai fini dell'estrazione del Qg. È possibile aumentare la resistenza del gate per sopprimere le oscillazioni, mentre la temporizzazione degli impulsi e l'induttanza devono essere coordinate con la risposta di commutazione più lenta. Anche la scelta del carico influisce sulla curva risultante: i carichi induttivi e resistivi producono comportamenti diversi delle forme d'onda e la configurazione appropriata dipende dal dispositivo e dalle condizioni di misura.

Soluzione ottimizzata per la misurazione della carica di gate in SiC

Advanced Per migliorare la misurazione della carica di gate del SiC è necessario controllare l’interazione tra resistenza di gate, tempo di commutazione, condizioni di carico e punti di funzionamento del dispositivo. Il Power Device Analyzer / Curve Tracer di Keysight e il Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester di Advanced supportano i test dinamici della carica di gate (Qg) con configurazioni Rg sostituibili che consentono di valutare diversi valori di resistenza di gate mantenendo bassa l’induttanza parassita nel circuito di gate. Per le misurazioni statiche, il Power Device Analyzer / Curve Tracer e il Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester di supportano i test Qg ad alta tensione e alta corrente. La selezione di un pilotaggio del gate, di un Vdsoff e di condizioni di carico adeguati contribuisce a ridurre le fluttuazioni delle forme d’onda e favorisce la generazione di curve Qg più uniformi.
Preventivo

Vedi lo schema a blocchi della soluzione ottimizzata per la misurazione della carica di gate in SiC

Come migliorare la carica di gate del SiC.

Scopri i prodotti della nostra soluzione ottimizzata per la misurazione della carica di gate in SiC

Casi d'uso correlati

Come testare i semiconduttori ad ampio bandgap

La caratterizzazione dei semiconduttori wide-bandgap (WGB) richiede la verifica di parametri statici e dinamici per evitare perdite. Scoprite come eseguire in modo ripetitivo i test JEDEC per i dispositivi WBG, tra cui accensione/spegnimento, commutazione e altri test standardizzati.

Per saperne di più

Come testare i moduli di potenza a semiconduttore ad ampio bandgap

Il collaudo dei moduli di potenza a semiconduttore WBG che operano a correnti e larghezze di banda più elevate richiede il collaudo a doppio impulso con una sonda isolata dagli impulsi. Scoprite come caratterizzare i moduli di potenza in modo affidabile utilizzando il test a doppio impulso per risolvere le sfide di misura high-side.

Per saperne di più

Come analizzare la corrente di transizione nella modalità di risparmio energetico dell'MCU

Analizzare e quantificare il consumo di corrente dell'MCU nelle modalità di sospensione e attiva utilizzando il Keysight CX3300 per individuare eventuali inefficienze energetiche e ottimizzare le prestazioni della batteria.

Per saperne di più

contattaci logo

Mettetevi in contatto con uno dei nostri esperti

Avete bisogno di aiuto per trovare la soluzione giusta per voi?

Contattaci