Cómo caracterizar los transistores bipolares de puerta aislada
Caracterización del comportamiento en corriente continua de los transistores bipolares de puerta aislada de alta potencia
La caracterización de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) requiere un suministro controlado de tensión y corriente a través del colector, la puerta y el emisor, al tiempo que se mide la respuesta del dispositivo en un amplio rango de funcionamiento. El equipo de ensayo debe permitir realizar mediciones en corriente continua y pulsadas, además de barridos de alta tensión y alta corriente para determinar las características de salida, las características de transferencia, la tensión de saturación, la corriente de fuga y el comportamiento en caso de ruptura. También pueden incluirse mediciones de capacitancia en función de la tensión cuando así lo requieran las especificaciones del dispositivo.
El proceso de medición aplica barridos controlados o condiciones de polarización constante al dispositivo sometido a prueba y registra la respuesta corriente-tensión correspondiente. Las características de salida se miden variando gradualmente la tensión de puerta; las características de transferencia requieren variar la tensión de puerta con una tensión de colector controlada; y las pruebas de ruptura consisten en aumentar la tensión de colector mientras se supervisa la corriente de fuga. Los ajustes de conformidad definen los límites de tensión, corriente y potencia, mientras que la visualización de formas de onda, al estilo de un osciloscopio, ayuda a verificar las condiciones de medición por impulsos y a evitar los efectos de autocalentamiento.
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