Charakterisierung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

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Charakterisierung des Gleichstromverhaltens von Hochleistungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Die Charakterisierung von IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) erfordert die gezielte Ansteuerung von Kollektor, Gate und Emitter mit kontrollierten Spannungen und Strömen, während das Bauteilverhalten über einen weiten Betriebsbereich gemessen wird. Der Testaufbau muss Gleichstrom- und Pulsmessungen sowie Hochspannungs- und Hochstrommessungen zur Bestimmung von Ausgangskennlinien, Übertragungskennlinien, Sättigungsspannung, Leckstrom und Durchbruchverhalten ermöglichen. Kapazitäts-Spannungs-Messungen können ebenfalls durchgeführt werden, sofern die Bauteilspezifikation dies erfordert.

Das Messverfahren wendet kontrollierte Spannungssweeps oder konstante Vorspannungen auf das Prüfobjekt an und zeichnet die entsprechende Strom-Spannungs-Kennlinie auf. Ausgangskennlinien werden durch schrittweises Ändern der Gate-Spannung gemessen, Übertragungskennlinien erfordern die Variation der Gate-Spannung bei einer kontrollierten Kollektorspannung, und Durchbruchtests erweitern die Kollektorspannung unter Überwachung des Leckstroms. Compliance-Einstellungen definieren Spannungs-, Strom- und Leistungsgrenzen, während die oszilloskopähnliche Wellenformdarstellung die Überprüfung der gepulsten Messbedingungen und die Vermeidung von Eigenerwärmungseffekten unterstützt.

Charakterisierungslösung für Hochleistungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Die Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) erfordert Messungen in Hochstrom- und Hochspannungsbereichen unter gleichzeitiger Kontrolle von Konformität und Eigenerwärmung. Der Leistungselektronik-Analysator/Kurventracer vereint vielfältige Messmöglichkeiten zur Gleichstrom- und Kapazitätscharakterisierung von IGBTs. Eine Ultrahochstromeinheit (UHCU) ermöglicht Pulsstrommessungen bis 1500 A, während eine Ultrahochspannungseinheit (UHVU) Durchbruchspannungsmessungen bis 10 kV unterstützt. Das System ermöglicht zudem Kapazitäts-Spannungs-Messungen mit bis zu 3 kV Gleichspannung. EasyEXPERT Group+ bietet die Modi Tracer Test, Anwendungstest, Klassischer Test und Schnelltest für interaktive Messungen, Parameterextraktion, Analyse und automatisierte Testsequenzen.

Siehe Blockdiagramm der Lösung zur Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs.

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