如何對絕緣閘極雙極性電晶體進行特性分析

+ 參數分析儀

特性分析高功率絕緣柵雙極電晶體（IGBT）DC 效能

絕緣柵雙極電晶體（IGBT）特性分析需要在集極、閘極和射極上提供受控的電壓與電流源，同時在寬廣的運作範圍內量測元件響應。測試設定必須支援 DC 與脈衝量測，以及適用於輸出特性、轉移特性、飽和電壓、漏電流和崩潰行為的高電壓與高電流掃描。當元件規格要求時，亦可納入電容對電壓（C-V）量測。

量測過程會對待測物施加受控的掃描或固定偏壓條件，並記錄相對應的電流-電壓響應。輸出特性是在步階調整閘極電壓時進行量測，轉移特性需要在受控的集極電壓下改變閘極電壓，而崩潰測試則是在擴展集極電壓的同時監控漏電流。遵循設定會定義電壓、電流與功率極限，而如同示波器般的波形檢視則有助於驗證脈衝量測條件並避免自熱效應。

大功率絕緣閘極雙極性電晶體特性分析解決方案

高功率絕緣柵雙極電晶體（IGBT）特性分析需要在高電流與高電壓運作區域進行源極輸出與量測，同時控制遵循限制與元件自熱效應。電源元件分析儀／曲線追蹤儀（Power Device Analyzer/Curve Tracer）結合多種量測功能，適用於 IGBT DC 與電容特性分析。超大電流單元（UHCU）將脈衝電流量測範圍擴展至 1500 A，而超高電壓單元（UHVU）則支援高達 10 kV 的崩潰量測。該系統亦支援最高達 3 kV DC 偏壓的電容-電壓量測。EasyEXPERT Group+ 提供追蹤器測試、應用測試、典型測試和快速測試模式，可用於互動式量測、參數擷取、分析以及自動化測試序列。

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