如何對絕緣閘極雙極性電晶體進行特性分析

+ 參數分析儀

分析高功率絕緣閘極雙極性電晶體的直流性能

絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）的特性分析，需要在集電極、閘極和發射極之間提供受控的電壓與電流，同時在寬廣的工作範圍內測量元件的響應。測試系統必須支援直流與脈衝測量，並能進行高電壓與高電流掃描，以測定輸出特性、傳輸特性、飽和電壓、漏電流及擊穿行為。若元件規格有此要求，亦可納入電容-電壓測量。

測量過程會對被測裝置施加受控掃頻或恆定偏壓條件，並記錄相應的電流-電壓響應。輸出特性是在逐步調整閘極電壓的過程中進行測量；傳輸特性則需在受控的集電極電壓下變化閘極電壓；而擊穿測試則是邊監測漏電流邊提高集電極電壓。合規性設定用於定義電壓、電流及功率限制，而類似示波器的波形檢視功能則有助於驗證脈衝測量條件，並避免自熱效應。

大功率絕緣閘極雙極性電晶體特性分析解決方案

大功率絕緣閘極雙極電晶體（IGBT）的特性分析，需要在高電流與高電壓工作區域內同時提供電流並進行測量，同時控制電壓順應性與元件自發熱。功率元件分析儀／曲線追蹤儀整合了多種測量功能，用於 IGBT 的直流與電容特性分析。超高電流單元（UHCU）將脈衝電流測量範圍擴展至 1500 A，而超高電壓單元（UHVU）則支援最高 10 kV 的擊穿測量。該系統亦支援最高 3 kV 直流偏壓的電容-電壓測量。 EasyEXPERT Group+ 提供「追蹤測試」、「應用測試」、「經典測試」及「快速測試」等模式，用於互動式測量、參數擷取、分析及自動化測試序列。

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