Comment caractériser les transistors bipolaires à grille isolée
Caractérisation des performances en courant continu des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de haute puissance
La caractérisation d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) nécessite de contrôler la tension et le courant au niveau du collecteur, de la grille et de l'émetteur, tout en mesurant la réponse du dispositif sur une large plage de fonctionnement. Le banc d’essai doit prendre en charge les mesures en courant continu et en mode pulsé, ainsi que les balayages à haute tension et à fort courant pour déterminer les caractéristiques de sortie, les caractéristiques de transfert, la tension de saturation, le courant de fuite et le comportement en cas de claquage. Des mesures de capacité en fonction de la tension peuvent également être incluses lorsque les spécifications du dispositif l’exigent.
Le processus de mesure applique des balayages contrôlés ou des conditions de polarisation constante au dispositif testé et enregistre la réponse courant-tension correspondante. Les caractéristiques de sortie sont mesurées en faisant varier progressivement la tension de grille par paliers ; les caractéristiques de transfert nécessitent de faire varier la tension de grille à une tension de collecteur contrôlée ; enfin, les essais de claquage consistent à augmenter la tension de collecteur tout en surveillant le courant de fuite. Les paramètres de conformité définissent les limites de tension, de courant et de puissance, tandis que la visualisation des formes d'onde, à la manière d'un oscilloscope, permet de vérifier les conditions de mesure par impulsions et d'éviter les effets d'auto-échauffement.
Solution de caractérisation des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance
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