Come caratterizzare i transistor bipolari a gate isolato
Caratterizzazione delle prestazioni in corrente continua dei transistor bipolari a gate isolato ad alta potenza
La caratterizzazione dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) richiede l’erogazione controllata di tensione e corrente attraverso il collettore, il gate e l’emettitore, misurando al contempo la risposta del dispositivo su un ampio intervallo di funzionamento. La configurazione di prova deve supportare misurazioni in corrente continua e a impulsi, oltre a scansioni ad alta tensione e ad alta corrente per determinare le caratteristiche di uscita, le caratteristiche di trasferimento, la tensione di saturazione, la corrente di dispersione e il comportamento in caso di rottura. Possono essere incluse anche misurazioni della capacità in funzione della tensione, qualora le specifiche del dispositivo lo richiedano.
Il processo di misurazione applica scansioni controllate o condizioni di polarizzazione costante al dispositivo in prova e registra la corrispondente risposta corrente-tensione. Le caratteristiche di uscita vengono misurate variando gradualmente la tensione di gate, le caratteristiche di trasferimento richiedono una tensione di gate variabile a una tensione di collettore controllata, mentre le prove di rottura consistono nell’aumentare la tensione di collettore monitorando al contempo la corrente di dispersione. Le impostazioni di conformità definiscono i limiti di tensione, corrente e potenza, mentre la visualizzazione delle forme d’onda in stile oscilloscopio aiuta a verificare le condizioni di misurazione a impulsi ed evitare effetti di autoriscaldamento.
Soluzione per la caratterizzazione dei transistor bipolari a gate isolato ad alta potenza
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