如何測量 SiC MOSFET 的閾值電壓

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透過符合 JEP183 標準的測量順序來將滯後效應降至最低

碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閾值電壓測量,必須嚴格控制時序,以將閾值電壓滯回效應的影響降至最低。JEDEC JEP183 準則定義了一種預處理脈衝,其後接續受控的測量序列,藉此在提取閾值電壓前穩定元件行為。此測量需具備可程式化電壓源、電流測量功能,以及預處理脈衝與閘極電壓掃描之間精確的時序控制。

該測量程序會在執行 JEP183 所定義的數種閾值電壓 (Vth) 測量方法之一之前,先施加一個閘極調製脈衝,這些方法包括固定漏極電壓掃頻、同步閘極與漏極掃頻,或漏極-閘極短路配置。閾值電壓是在維持建議的時序要求下,於指定漏極電流條件下提取,以產生穩定且可重複的特性分析結果。

JEP183 SiC Vth 測量解決方案

符合 JEP183 標準的閾值電壓特性分析,需要一套能夠產生可程式化預處理脈衝、控制同步電壓掃描,並從所測得的電流-電壓資料中精確提取閾值電壓的測量系統。是德科技(Keysight)的半導體元件分析儀將這些功能與 EasyEXPERT group+ 軟體整合,提供即用型 JEP183 應用測試,可自動化整個測量工作流程。 工程師可從多種內建的 Vth 測量方法中進行選擇,自動設定測量時序,在指定的漏極電流下進行閾值電壓萃取,並將測量條件與結果儲存於 EasyEXPERT 工作區中,以實現高效分析與可重複的元件特性分析。

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