如何測量 SiC MOSFET 的閾值電壓

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透過符合 JEP183 標準的量測序列將遲滯降至最低

碳化矽（SiC）金氧半場效電晶體（MOSFET）臨限電壓量測需要經過精密控制的時間排程，以將臨限電壓遲滯的影響降至最低。JEDEC JEP183 規範定義了一個調節脈衝，後續接著一個受控的量測序列，在進行臨限電壓萃取之前先穩定元件行為。此量測需要可程式化的電壓源、電流量測，以及調節脈衝與閘極電壓掃描之間精密的時序。

量測序列會在執行 JEP183 所定義的多種臨限電壓（Vth）量測方法之一（包括固定汲極電壓掃描、同步閘極與汲極掃描，或汲極-閘極短路配置）之前，先施加閘極調節脈衝。臨限電壓會在指定的汲極電流下萃取，同時維持建議的時序要求，以產生穩定且可重複的特性分析結果。

JEP183 SiC Vth 測量解決方案

符合 JEP183 標準的臨限電壓特性分析需要具備以下能力的量測系統：產生可程式化調節脈衝、控制同步電壓掃描，以及從量測到的電流-電壓資料中精準萃取臨限電壓。是德科技半導體元件分析儀將這些功能與 EasyEXPERT group+ 軟體整合，提供開箱即用的 JEP183 應用測試，可自動化完成整個量測工作流程。工程師可以從多種內建的 Vth 量測方法中進行選擇、自動配置量測時序、在指定的汲極電流下執行臨限電壓萃取，並將量測條件和結果儲存在 EasyEXPERT 工作區內，以進行有效率的分析並實現可重複的元件特性分析。
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