Comment mesurer la tension de seuil d'un MOSFET au carbure de silicium (SiC)
Réduire l'hystérésis grâce à une séquence de mesures conforme à la norme JEP183
Les mesures de la tension de seuil des transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) nécessitent un synchronisme soigneusement contrôlé afin de minimiser les effets de l'hystérésis de la tension de seuil. La norme JEDEC JEP183 définit une impulsion de conditionnement suivie d'une séquence de mesure contrôlée qui stabilise le comportement du dispositif avant l'extraction de la tension de seuil. La mesure nécessite une source de tension programmable, une mesure de courant et un synchronisme précis entre l'impulsion de conditionnement et le balayage de la tension de grille.
La séquence de mesure applique une impulsion de conditionnement de grille avant d'exécuter l'une des différentes méthodes de mesure de la tension de seuil (Vth) définies par la norme JEP183, notamment les balayages à tension de drain fixe, les balayages synchronisés de grille et de drain, ou les configurations de court-circuit drain-grille. La tension de seuil est mesurée à un courant de drain spécifié, tout en respectant les exigences de synchronisation recommandées afin d'obtenir des résultats de caractérisation stables et reproductibles.
JEP183 : Solution de mesure de la tension Vth du SiC
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Analyseur de dispositifs de puissance / traceur de courbes B1505A
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