SiC MOSFET의 임계 전압 측정 방법

견적 받기
매개변수 분석기
+ 파라미터 분석기
매개변수 분석기
+ 파라미터 분석기

JEP183 준수 측정 시퀀스를 통한 히스테리시스 최소화

탄화규소(SiC) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 임계 전압 측정에는 임계 전압 히스테리시스의 영향을 최소화하기 위해 세심하게 제어되는 타이밍이 필요합니다. JEDEC JEP183 가이드라인은 임계 전압 추출 전에 디바이스 거동을 안정화하는 제어된 측정 시퀀스와 그에 앞서는 컨디셔닝 펄스를 정의합니다. 이 측정에는 프로그래밍 가능한 전압 소싱, 전류 측정, 그리고 컨디셔닝 펄스와 게이트 전압 스윕 사이의 정밀한 타이밍이 필요합니다.

측정 시퀀스는 고정 드레인 전압 스윕, 동기화된 게이트 및 드레인 스윕, 또는 드레인-게이트 쇼트 구성을 포함하여 JEP183에서 정의한 여러 임계 전압(Vth) 측정 방법 중 하나를 수행하기 전에 게이트 컨디셔닝 펄스를 인가합니다. 안정적이고 반복 가능한 특성화 결과를 도출하기 위해 권장되는 타이밍 요구 사항을 유지하면서 지정된 드레인 전류에서 임계 전압을 추출합니다.

JEP183 SiC Vth 측정 솔루션

JEP183 준수 임계 전압 특성화에는 프로그래밍 가능한 컨디셔닝 펄스를 생성하고, 동기화된 전압 스윕을 제어하며, 측정된 전류-전압 데이터에서 임계 전압을 정확하게 추출할 수 있는 측정 시스템이 필요합니다. 키사이트 반도체 디바이스 분석기(Semiconductor Device Analyzers)는 이러한 기능과 EasyEXPERT group+ 소프트웨어를 통합하여 전체 측정 워크플로를 자동화하는 즉시 사용 가능한 JEP183 어플리케이션 테스트를 제공합니다. 엔지니어는 여러 내장 Vth 측정 방법 중에서 선택하고, 측정 타이밍을 자동으로 구성하며, 지정된 드레인 전류에서 임계 전압 추출을 수행하고, 효율적인 분석과 반복 가능한 디바이스 특성화를 위해 EasyEXPERT 워크스페이스 내에 측정 조건 및 결과를 저장할 수 있습니다.
견적 받기

JEP183 SiC Vth 측정 솔루션 블록 다이어그램 보기

JEP183 SiC Vth 측정 솔루션의 블록 다이어그램

JEP183 SiC Vth 측정 솔루션 제품 살펴보기

리소스 및 인사이트 알아보기

전력 반도체 소자 특성화를 위한 추가 리소스

관련 사용 사례

단열재의 전도도 측정 방법

전기계와 저항률 셀을 사용하여 절연 재료의 표면 및 부피 저항률을 높은 정확도로 측정합니다.

자세히 알아보기

FET 증폭기의 설계 및 최적화 방법

시뮬레이션 및 측정 워크플로를 활용하여 FET 증폭기를 설계하고 최적화함으로써, RF 성능을 정확하게 검증합니다.

자세히 알아보기

바이폴라 트랜지스터의 IV 특성 곡선을 분석하는 방법

정확한 소자 분석을 위해 동기화된 듀얼 채널 SMU 측정을 활용하여 BJT의 전류-전압 특성을 분석합니다.

자세히 알아보기

문의하기 로고

전문가에게 문의하십시오.

적합한 솔루션을 찾는 데 도움이 필요하십니까?

문의하기