SiC MOSFET의 임계 전압 측정 방법

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JEP183 표준을 준수하는 측정 순서를 통해 히스테리시스를 최소화하십시오

실리콘 카바이드(SiC) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 임계 전압 측정을 위해서는 임계 전압 히스테리시스의 영향을 최소화하기 위해 타이밍을 정밀하게 제어해야 합니다. JEDEC JEP183 지침에서는 임계 전압 추출 전에 소자 동작을 안정화하기 위해 컨디셔닝 펄스를 적용한 후 제어된 측정 순서를 수행하도록 규정하고 있습니다. 이 측정에는 프로그래밍 가능한 전압 공급, 전류 측정, 그리고 컨디셔닝 펄스와 게이트 전압 스윕 사이의 정밀한 타이밍 제어가 필요합니다.

이 측정 순서는 JEP183에 정의된 여러 임계 전압(Vth) 측정 방법(고정 드레인 전압 스윕, 동기화된 게이트 및 드레인 스윕, 드레인-게이트 단락 구성 등) 중 하나를 수행하기 전에 게이트 컨디셔닝 펄스를 적용합니다. 임계 전압은 안정적이고 재현성 있는 특성 분석 결과를 얻기 위해 권장되는 타이밍 요건을 준수하면서 지정된 드레인 전류에서 추출됩니다.

JEP183 SiC Vth 측정 솔루션

JEP183 표준을 준수하는 임계 전압 특성 분석에는 프로그래밍 가능한 컨디셔닝 펄스를 생성하고, 동기화된 전압 스윕을 제어하며, 측정된 전류-전압 데이터에서 임계 전압을 정확하게 추출할 수 있는 측정 시스템이 필요합니다. 키사이트(Keysight) 반도체 소자 분석기는 이러한 기능을 EasyEXPERT group+ 소프트웨어와 통합하여, 전체 측정 워크플로우를 자동화하는 즉시 사용 가능한 JEP183 애플리케이션 테스트를 제공합니다. 엔지니어는 여러 가지 내장된 Vth 측정 방법 중에서 선택하고, 측정 타이밍을 자동으로 구성하며, 지정된 드레인 전류에서 임계 전압을 추출하고, 측정 조건과 결과를 EasyEXPERT 작업 공간에 저장하여 효율적인 분석과 재현 가능한 소자 특성 분석을 수행할 수 있습니다.
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