CMOS 신뢰성 테스트를 개선하는 방법

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CMOS 신뢰성 특성화 개선

고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기술은 더 작은 소자 형상으로 지속적으로 축소되고 있으며, 이로 인해 전기장 강도와 전류 밀도가 증가하여 소자의 수명이 단축될 수 있습니다. 엔지니어는 장기적인 신뢰성을 보장하기 위해 게이트 유전체 무결성, 핫 캐리어 효과(HCI), 바이어스 온도 불안정성(BTI), 일렉트로마이그레이션(EM)을 평가해야 합니다.

CMOS 신뢰성 평가에는 유전체 항복 테스트, 스트레스-측정-스트레스 특성화, 커패시턴스 측정, 인터커넥트 신뢰성 테스트를 비롯한 여러 스트레스 및 측정 기법이 필요합니다. 정확한 수명 예측은 스트레스 중단을 최소화하고 DC 및 AC 스트레스 조건을 모두 지원하며 복잡한 신뢰성 테스트 워크플로를 단순화하는 데 달려 있습니다.

포괄적인 CMOS 신뢰성 테스트 솔루션

CMOS 신뢰성을 평가하려면 설정 복잡성을 최소화하고 측정 정확도를 개선하는 동시에 여러 신뢰성 테스트를 수행할 수 있는 측정 솔루션이 필요합니다. 키사이트 B1500A 반도체 소자 파라미터 분석기는 단일 모듈형 플랫폼에서 정밀 소스/모니터 유닛(SMU), 초고속 파형 생성, 커패시턴스 측정, 즉시 사용 가능한 신뢰성 테스트 라이브러리를 결합하여 이러한 요구 사항을 충족합니다. 유연한 아키텍처는 게이트 유전체 무결성, HCI, BTI 및 일렉트로마이그레이션 테스트를 지원하며, EasyEXPERT 소프트웨어는 내장된 애플리케이션 라이브러리 및 자동화된 분석을 통해 테스트 설정을 단순화합니다. 이러한 기능을 통해 엔지니어는 신뢰성 특성화를 간소화하고 측정 반복성을 개선하며 소자 수명을 정확하게 예측할 수 있습니다.
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