CMOS 신뢰성 테스트를 개선하는 방법

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CMOS 신뢰성 특성 분석 개선

첨단 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기술은 계속해서 소자 구조의 미세화를 거듭하고 있으며, 이로 인해 전기장 강도와 전류 밀도가 증가하여 소자의 수명이 단축될 수 있습니다. 엔지니어들은 장기적인 신뢰성을 보장하기 위해 게이트 유전체 무결성, 핫 캐리어 효과(HCI), 바이어스 온도 불안정성(BTI), 전기이동(EM) 등을 평가해야 합니다.

CMOS 신뢰성 평가에는 유전체 파괴 시험, 스트레스-측정-스트레스 특성 분석, 정전용량 측정, 상호 연결 신뢰성 시험 등 다양한 스트레스 및 측정 기법이 필요합니다. 정확한 수명 예측을 위해서는 스트레스 중단 현상을 최소화하고, 직류(DC) 및 교류(AC) 스트레스 조건을 모두 지원하며, 복잡한 신뢰성 시험 워크플로를 간소화해야 합니다.

포괄적인 CMOS 신뢰성 테스트 솔루션

CMOS 신뢰성을 평가하려면 설정 복잡성을 최소화하고 측정 정확도를 높이는 동시에 여러 신뢰성 테스트를 수행할 수 있는 측정 솔루션이 필요합니다. 키사이트(Keysight) B1500A 반도체 소자 파라미터 분석기는 정밀 소스/모니터 유닛(SMU), 초고속 파형 생성, 정전용량 측정 및 즉시 사용 가능한 신뢰성 테스트 라이브러리를 단일 모듈형 플랫폼에 통합하여 이러한 요구 사항을 충족합니다. 이 제품의 유연한 아키텍처는 게이트 유전체 무결성, HCI, BTI 및 전기이주(electromigration) 테스트를 지원하며, EasyEXPERT 소프트웨어는 내장된 애플리케이션 라이브러리와 자동화된 분석 기능을 통해 테스트 설정을 간소화합니다. 이러한 기능들이 결합되어 엔지니어들은 신뢰성 특성 분석을 효율화하고, 측정 재현성을 향상시키며, 소자의 수명을 정확하게 예측할 수 있습니다.
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