如何提升 CMOS 可靠性測試

+ 參數分析儀

提升 CMOS 可靠性特性分析

先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術持續朝更小的元件幾何尺寸發展，這會提高電場強度和電流密度，進而可能縮短元件的使用壽命。工程師必須評估閘極介電層的完整性、熱載流子效應（HCI）、偏壓溫度不穩定性（BTI）以及電遷移（EM），以確保長期可靠性。

CMOS 可靠性評估需要多種應力與量測技術，包括介電擊穿測試、應力-量測-應力特性分析、電容量測量，以及互連可靠性測試。要實現精確的使用壽命估算，關鍵在於將應力中斷降至最低、同時支援直流與交流應力條件，並簡化複雜的可靠性測試工作流程。

全面的 CMOS 可靠性測試解決方案

評估 CMOS 可靠性需要一套測量解決方案，該方案須能執行多項可靠性測試，同時將設定複雜度降至最低並提升測量精度。是德科技 (Keysight) B1500A 半導體元件參數分析儀透過在單一模組化平台上整合高精度源/監測單元 (SMU)、超高速波形產生、電容測量以及即用型可靠性測試函式庫，滿足了這些需求。其靈活的架構支援柵極電介質完整性、HCI、BTI 及電遷移測試，而 EasyEXPERT 軟體則透過內建的應用程式庫和自動化分析功能，簡化測試設定流程。這些功能相輔相成，協助工程師簡化可靠性特性分析流程、提升測量重複性，並精確估算元件壽命。

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