Wie man die Zuverlässigkeitsprüfung von CMOS-Sensoren verbessert

Angebot anfordern
Parameteranalysator
+ Parameteranalysator
Parameteranalysator
+ Parameteranalysator

Verbesserung der Zuverlässigkeitscharakterisierung von CMOS-Systemen

Advanced Die CMOS-Technologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor) wird kontinuierlich verkleinert, was zu höheren elektrischen Feldstärken und Stromdichten führt und die Lebensdauer der Bauelemente verkürzen kann. Ingenieure müssen daher die Integrität des Gate-Dielektrikums, Heißladungsträgereffekte (HCI), die Instabilität der Vorspannungstemperatur (BTI) und die Elektromigration (EM) bewerten, um die langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Die Zuverlässigkeitsbewertung von CMOS-Schaltungen erfordert verschiedene Belastungs- und Messverfahren, darunter dielektrische Durchschlagsprüfungen, Stress-Mess-Stress-Charakterisierung, Kapazitätsmessungen und Verbindungszuverlässigkeitsprüfungen. Eine genaue Lebensdauerschätzung hängt von der Minimierung von Belastungsunterbrechungen, der Unterstützung von Gleich- und Wechselstrombelastungen sowie der Vereinfachung komplexer Zuverlässigkeitsprüfabläufe ab.

Umfassende CMOS-Zuverlässigkeitstestlösung

Die Bewertung der Zuverlässigkeit von CMOS-Bauelementen erfordert eine Messlösung, die mehrere Zuverlässigkeitstests durchführen kann, dabei die Komplexität des Testaufbaus minimiert und die Messgenauigkeit verbessert. Der Keysight B1500A Halbleiter-Parameteranalysator erfüllt diese Anforderungen durch die Kombination von präzisen Source/Monitor-Einheiten (SMUs), ultraschneller Wellenformgenerierung, Kapazitätsmessung und sofort einsatzbereiten Zuverlässigkeitstestbibliotheken auf einer einzigen modularen Plattform. Seine flexible Architektur unterstützt Tests der Gate-Dielektrikum-Integrität, HCI, BTI und Elektromigration, während die EasyEXPERT-Software den Testaufbau durch integrierte Anwendungsbibliotheken und automatisierte Analyse vereinfacht. Diese Funktionen helfen Ingenieuren, die Zuverlässigkeitscharakterisierung zu optimieren, die Messwiederholbarkeit zu verbessern und die Lebensdauer von Bauelementen präzise abzuschätzen.
Angebot anfordern

Siehe Blockdiagramm der CMOS-Zuverlässigkeitstestlösung

B1500A Halbleiterbauelement-Parameteranalysator

Entdecken Sie Produkte in unserer CMOS-Zuverlässigkeitstestlösung

Verwandte Anwendungsfälle

Charakterisierung der VCSEL-LIV-Leistung für 3D-Sensorik

Charakterisierung des Licht-Strom-Spannungs-Verhaltens von VCSELs mittels synchronisierter SMU-Messungen für die Hochdurchsatzprüfung von 3D-Sensorbauelementen.

Mehr erfahren

Wie man die Linearität einer Laserdiode charakterisiert

Messen Sie die Linearität von Laserdioden und erkennen Sie Knickphänomene mithilfe synchronisierter, rauscharmer LIV-Charakterisierungsmessungen.

Mehr erfahren

Charakterisierung von Hochleistungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) mit einer einzigen integrierten Lösung, die Gleichstrom-, Impuls-, Kapazitäts- und Durchbruchmessungen bis zu 1500 A und 10 kV durchführt und dabei die Messeffizienz verbessert und gleichzeitig eine genaue Gerätecharakterisierung ermöglicht.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Kontaktieren Sie einen unserer Experten

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt