Como melhorar os testes de confiabilidade de CMOS
Aprimorar a caracterização da confiabilidade do CMOS
As tecnologias avançadas de semicondutores complementares de óxido metálico (CMOS) continuam a evoluir para geometrias de dispositivos cada vez menores, aumentando a intensidade do campo elétrico e a densidade de corrente, o que pode reduzir a vida útil dos dispositivos. Os engenheiros devem avaliar a integridade do dielétrico da porta, os efeitos de portadores quentes (HCI), a instabilidade de polarização em função da temperatura (BTI) e a eletromigração (EM) para garantir a confiabilidade a longo prazo.
A avaliação da confiabilidade de CMOS requer diversas técnicas de aplicação de estresse e medição, incluindo testes de ruptura dielétrica, caracterização do ciclo “estresse-medição-estresse”, medição de capacitância e testes de confiabilidade de interconexões. Para se obter uma estimativa precisa da vida útil, é necessário minimizar as interrupções no estresse, oferecer suporte a condições de estresse tanto em corrente contínua (CC) quanto em corrente alternada (CA) e simplificar os complexos fluxos de trabalho dos testes de confiabilidade.
Solução abrangente para testes de confiabilidade de CMOS
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Analisador de parâmetros de dispositivos semicondutores B1500A / Mainframe do sistema de caracterização de semicondutores
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