Como medir a tensão de limiar de um MOSFET de SiC

Pedir cotação
Analisador de parâmetros
+ Analisador de parâmetros
Analisador de parâmetros
+ Analisador de parâmetros

Minimize a histerese com sequenciamento de medição em conformidade com a norma JEP183

As medições da tensão de limiar do transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de carboneto de silício (SiC) exigem um tempo cuidadosamente controlado para minimizar os efeitos da histerese da tensão de limiar. A diretriz JEDEC JEP183 define um pulso de condicionamento seguido por uma sequência de medição controlada que estabiliza o comportamento do dispositivo antes da extração da tensão de limiar. A medição requer uma fonte de tensão programável, medição de corrente e sincronização precisa entre o pulso de condicionamento e a varredura da tensão de porta.

A sequência de medição aplica um pulso de condicionamento de porta antes de executar um dos diversos métodos de medição da tensão de limiar (Vth) definidos pela norma JEP183, incluindo varreduras de tensão de dreno fixa, varreduras sincronizadas de porta e dreno ou configurações de curto-circuito dreno-porta. A tensão de limiar é obtida com uma corrente de dreno especificada, mantendo os requisitos de temporização recomendados para produzir resultados de caracterização estáveis e repetíveis.

JEP183 Solução para medição de Vth em SiC

A caracterização da tensão de limiar em conformidade com a norma JEP183 requer um sistema de medição capaz de gerar pulsos de condicionamento programáveis, controlar varreduras de tensão sincronizadas e extrair com precisão a tensão de limiar a partir dos dados medidos de corrente-tensão. Os Analisadores de Dispositivos Semicondutores da Keysight integram esses recursos ao software EasyEXPERT group+, oferecendo testes de aplicação JEP183 prontos para uso que automatizam todo o fluxo de trabalho de medição. Os engenheiros podem selecionar entre vários métodos integrados de medição de Vth, configurar automaticamente o tempo de medição, realizar a extração da tensão de limiar em uma corrente de dreno especificada e salvar as condições e os resultados da medição no espaço de trabalho do EasyEXPERT para uma análise eficiente e uma caracterização repetível dos dispositivos.
Pedir cotação

Veja o diagrama de blocos da solução de medição de Vth do JEP183 SiC

Diagrama de blocos da solução de medição de Vth em SiC da JEP183

Conheça os produtos da nossa solução de medição de Vth em SiC JEP183

Casos de uso relacionados

Como caracterizar o desempenho do VCSEL LIV para detecção 3D

Caracterizar com precisão o comportamento luz-corrente-tensão do VCSEL por meio de medições sincronizadas com SMU para testes de dispositivos de detecção 3D de alto rendimento.

Saiba mais

Como caracterizar a linearidade de um diodo laser

Medir a linearidade do diodo laser e detectar fenômenos de “kink” por meio de medições sincronizadas de caracterização L-I-V de baixo ruído.

Saiba mais

Como melhorar os testes de confiabilidade de CMOS

Realize testes abrangentes de confiabilidade de CMOS com o Analisador de Dispositivos Semicondutores B1500A da Keysight para avaliar a integridade do dielétrico da porta, os efeitos de portadores quentes, a instabilidade de polarização em função da temperatura e a eletromigração, utilizando uma única solução integrada.

Saiba mais

logotipo de contato

Entre em contato com um de nossos especialistas

Precisa de ajuda para encontrar a solução certa para você?

Contacte-nos