Cómo medir la tensión umbral de un MOSFET de SiC

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Minimizar la histéresis mediante secuencias de medición conformes con la norma JEP183

Las mediciones de la tensión umbral de los transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) requieren una sincronización cuidadosamente controlada para minimizar los efectos de la histéresis de la tensión umbral. La norma JEDEC JEP183 define un pulso de acondicionamiento seguido de una secuencia de medición controlada que estabiliza el comportamiento del dispositivo antes de la extracción de la tensión umbral. La medición requiere una fuente de tensión programable, la medición de la corriente y una sincronización precisa entre el pulso de acondicionamiento y el barrido de la tensión de la puerta.

La secuencia de medición aplica un pulso de acondicionamiento de la puerta antes de llevar a cabo uno de los diversos métodos de medición de la tensión umbral (Vth) definidos en la norma JEP183, entre los que se incluyen barridos de tensión de drenaje fija, barridos sincronizados de puerta y drenaje, o configuraciones de cortocircuito entre puerta y drenaje. La tensión umbral se determina con una corriente de drenaje especificada, manteniendo al mismo tiempo los requisitos de sincronización recomendados para obtener resultados de caracterización estables y repetibles.

JEP183: Solución para la medición del Vth en SiC

La caracterización del voltaje umbral conforme a la norma JEP183 requiere un sistema de medición capaz de generar pulsos de acondicionamiento programables, controlar barridos de voltaje sincronizados y extraer con precisión el voltaje umbral a partir de los datos de corriente-voltaje medidos. Los analizadores de dispositivos semiconductores de Keysight integran estas capacidades con el software EasyEXPERT group+, lo que proporciona pruebas de aplicación JEP183 listas para usar que automatizan todo el flujo de trabajo de medición. Los ingenieros pueden elegir entre varios métodos de medición de Vth incorporados, configurar automáticamente la sincronización de la medición, realizar la extracción de la tensión umbral a una corriente de drenaje especificada y guardar las condiciones y los resultados de la medición en el espacio de trabajo de EasyEXPERT para un análisis eficiente y una caracterización repetible de los dispositivos.
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Diagrama de bloques de la solución de medición de Vth de SiC JEP183

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