如何在 VCSEL 測試中降低自發熱現象

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降低 VCSEL 測試過程中的自發熱現象

垂直腔面發射雷射（VCSEL）的特性分析，需在施加受控電流脈衝的同時，測量元件的電學與光學響應。進行窄脈衝測試時，電流脈衝的持續時間必須足夠短，以限制自發熱現象，同時維持所需的振幅與上升時間。在脈衝期間會進行電流與電壓測量，藉此分析元件在所施加的運作條件下的行為特性。

此測試透過高速採樣，測量窄脈衝期間的實際電流與電壓波形。此外，亦可透過同步光電二極體電流來測量光輸出，以進行光-電流-電壓（LIV）特性分析。所得的測量結果可提供用於確定各項特性的電氣與光學數據，例如正向電壓、閾值電流、光功率、光電二極體電流，以及斜率效率或摺點。

窄脈衝 VCSEL 測試解決方案

窄脈衝 VCSEL 測試需要一種電流源，該電流源不僅能產生短脈衝，還能於脈衝測量視窗內擷取元件的響應。是德科技 (Keysight) 的精密 PXIe 源/測量單元 (SMU) 提供「雷射二極體模式」，具備快速上升時間，且電流脈衝寬度可窄至 10 µs。 內建的高速量測功能（最高達 15 MSa/s）可擷取實際電流脈衝以及動態電流與電壓響應，無需額外的波形擷取儀器。此解決方案亦支援最高 10.5 A 的脈衝電流輸出，可針對各種 VCSEL 元件及陣列進行窄脈衝特性分析。
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窄脈衝 VCSEL 測試方案的方塊圖

如何在 VCSEL 測試中降低自發熱現象

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