如何在 VCSEL 測試中降低自發熱現象

模組化 PXIe 精密 SMU
+ 模組化 PXIe 精密源極/量測單元 (SMU)

減少 VCSEL 測試期間的自發熱

垂直共振腔面射型雷射 (VCSEL) 特性分析需要施加受控的電流脈衝,同時量測元件的電氣與光學響應。對於窄脈衝測試,電流脈衝必須夠短以限制自發熱,同時維持所需的振幅與上升時間。在脈衝期間擷取電流與電壓量測值,以特性化元件在所施加工作條件下的行為。

此測試使用高速取樣量測窄脈衝期間的實際電流與電壓波形。也可以透過同步光二極體電流來量測光輸出,以進行光-電流-電壓 (LIV) 特性分析。所得量測結果提供了用於判定順向電壓、閾值電流、光功率、光二極體電流以及斜率效率或突折等特性的電氣與光學資料。

窄脈衝 VCSEL 測試解決方案

窄脈衝 VCSEL 測試需要能夠產生短脈衝並在脈衝量測視窗內擷取元件響應的電流源。Keysight 精密 PXIe 源極/量測單元 (SMU) 提供雷射二極體模式,具有快速上升時間和窄至 10 µs 的電流脈衝。高達 15 MSa/s 的內嵌高速量測功能可擷取實際的電流脈衝以及動態電流與電壓響應,而無需額外的波形擷取儀器。該解決方案還支援高達 10.5 A 的脈衝電流源供應,能夠對各種 VCSEL 元件與陣列進行窄脈衝特性分析。

窄脈衝 VCSEL 測試解決方案方塊圖

如何在 VCSEL 測試中降低自發熱現象

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