如何提升 VCSEL 脈衝測量精度

模組化 PXIe 精密 SMU
+ 模組化 PXIe 精密 SMU

減少窄脈衝測量誤差

窄脈衝垂直腔面發射雷射(VCSEL)的特性分析,必須控制源/量測單元(SMU)與被測裝置之間所引入的量測誤差。纜線阻抗會產生壓降,而纜線電感則會影響瞬態響應並導致過衝。這些效應在脈衝量測過程中會更加顯著,並可能導致測得的電壓或電流波形與裝置本身的響應產生差異。

此測量設置需要更接近元件處的電壓感測,以及適合快速瞬態脈衝的連接路徑。透過比較測得的瞬態響應,有助於辨識因感測配置與纜線特性所造成的差異。對於短脈衝而言,降低纜線電感亦能產生更純淨的電流脈衝,並減少過衝現象,從而改善用於輕電流電壓(LIV)特性分析的電氣條件。

精準的 VCSEL 脈衝測量解決方案

要精確測量窄脈衝 VCSEL,必須降低測量儀器與被測裝置之間連接所引入的誤差。是德科技 (Keysight) 的精密 PXIe 源/測單元 (SMU) 支援「遠端瞬態電壓測量」功能,可進行快速的瞬態脈衝電壓測量,並降低測量誤差。專用的測量端子可減少 SMU 內部電路阻抗的影響,並將電壓感測點延伸至更靠近被測裝置的位置。 針對少於 50 µs 的脈衝,該解決方案簡報亦建議使用專門設計的低電感纜線,以減少與纜線相關的誤差並減輕窄脈衝過衝現象,從而產生更純淨的源電流脈衝。

高精度 VCSEL 脈衝測量解決方案的方塊圖

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