如何檢測隱藏的線接合缺陷

電氣結構測試儀
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找出傳統測試與 X 光檢測可能忽略的結構缺陷

導線鍵合結構測試旨在評估半導體封裝是否存在缺陷,這些缺陷可能無法透過傳統的電氣導通測試及 X 光檢測來識別。此過程透過測量內部金屬結構(包括引線框架與導線鍵合)之間的電容耦合特性,在無需對被測裝置通電的情況下,識別結構異常。

測試過程採用電氣結構分析結合統計型輪廓監測技術,以識別與缺陷相關的異常電容特徵,例如近短路、垂直導線下垂、晶片錯誤及模具化合物問題。此方法可在維持大容量半導體製造產能的同時,對每顆元件進行線上檢測。上述說明以上傳的案例研究為依據。

導線鍵合缺陷檢測解決方案

要檢測結構性導線鍵合缺陷,必須採用能識別傳統自動化測試設備及自動化 X 光檢測無法察覺之隱藏性故障的無損檢測技術。此解決方案結合電容式電氣結構測試與無向量增強探針技術,無需為積體電路供電即可測量半導體內部結構的電氣特性。 該系統可識別包括導線下垂、近短路、晶片定位錯誤及模塑化合物問題等缺陷,同時支援用於製程監控的統計性「零件平均測試」(PAT)分析。 該解決方案具備並行測試能力,每小時處理量高達 72,000 顆,可支援大規模量產,在實現全面檢測覆蓋的同時,減少誤判退件並將漏檢缺陷降至最低。根據案例研究顯示,概念驗證測試證明,在 3,000 顆積體電路的樣本中,該系統成功檢測出所有十處傳統 X 光檢測未能發現的隱藏導線鍵合缺陷。

請參閱導線接合缺陷檢測解決方案的方塊圖

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