如何評估 GaN 電流崩潰效應

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評估氮化鎵 (GaN) 電流崩潰

氮化鎵 (GaN) 功率元件特性分析需要評估施加高壓 OFF 狀態應力後的瞬態電流崩潰與動態導通電阻。量測系統必須支援高壓偏壓、快速切換至 ON 狀態、同步電壓與電流量測，以及在短與長持續時間區間內進行高速取樣，以準確擷取元件瞬態行為。

量測過程包括施加 OFF 狀態應力電壓、將元件切換至 ON 狀態，並在轉態後立即記錄汲極電流與導通電阻。準確的特性分析取決於同步的高壓與高電流量測、應力與量測條件之間的快速切換，以及在不同應力電壓下擷取微秒至毫秒時間範圍內的恢復行為。

GaN 電流崩潰解決方案

評估氮化鎵 (GaN) 電流崩潰需要施加高壓 OFF 狀態應力、將元件快速切換至 ON 狀態，並在微秒和毫秒時間範圍內擷取瞬態汲極電流與動態導通電阻。Keysight B1505A 功率元件分析儀結合高壓與高電流源潤飾單元，搭配 N1267A 高壓源潤飾單元／高電流源潤飾單元快速切換器，可在單一整合平台內執行這些量測。同步量測架構可實現高達 3000 V 的 OFF 狀態應力、高達 20 A 的 ON 狀態脈衝電流、短至 20 µs 的切換時間，以及用於觀察即時電流崩潰和長期恢復行為的高速取樣。內建應用測試和追蹤量測模式可簡化封裝與晶圓上 GaN 元件的動態導通電阻與電流崩潰評估，同時降低設定複雜度並免除自訂量測程式的需求。

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