如何評估 GaN 電流崩潰效應

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評估 GaN 電流崩潰現象

氮化鎵（GaN）功率元件的特性分析，需評估在施加高壓關斷狀態應力後所產生的瞬態電流崩潰及動態導通電阻。測量系統必須支援高壓偏壓、快速切換至導通狀態、同步電壓與電流測量，以及在短時程與長時程時間間隔內進行高速採樣，以精確捕捉元件的瞬態行為。

測量過程包括施加關斷狀態的應力電壓、將元件切換至導通狀態，並在狀態轉換後立即記錄漏極電流與導通電阻。要進行精確的特性分析，必須同步進行高電壓與高電流測量、在應力與測量條件之間快速切換，並在不同應力電壓下捕捉微秒至毫秒時間尺度內的恢復行為。

GaN 電流崩潰解決方案

要評估氮化鎵（GaN）的電流崩潰現象，必須施加高壓關斷狀態應力，將元件快速切換至導通狀態，並在微秒與毫秒時間尺度上擷取瞬態漏極電流及動態導通電阻。是德科技 (Keysight) B1505A 功率元件分析儀結合了高壓與高電流源監測單元，並搭配 N1267A 高壓源監測單元／高電流源監測單元快速開關，可在單一整合平台上執行這些測量。此同步測量架構可提供高達 3000 V 的關斷狀態應力、高達 20 A 的導通狀態脈衝電流、最短 20 μs 的切換時間，以及高速採樣功能，用以觀察即時的電流崩潰與長期恢復行為。內建的應用測試與軌跡測量模式，簡化了封裝及晶圓級 GaN 元件的動態導通電阻與電流崩潰評估，同時降低了設定複雜度，並免除了自訂測量程式編寫的需求。

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