GaN 전류 붕괴 현상을 평가하는 방법

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GaN 전류 붕괴 평가

질화갈륨(GaN) 전력 소자 특성화를 위해서는 고전압 OFF 상태 스트레스를 인가한 후 과도 전류 붕괴 및 동적 온 저항(on-resistance)을 평가해야 합니다. 측정 시스템은 과도한 소자 거동을 정확히 포착하기 위해 고전압 바이어싱, ON 상태로의 빠른 스위칭, 동기화된 전압 및 전류 측정, 그리고 단시간 및 장시간 간격 전반에 걸친 고속 샘플링을 지원해야 합니다.

측정 프로세스에는 OFF 상태 스트레스 전압 인가, 소자의 ON 상태 스위칭, 그리고 전환 직후의 드레인 전류 및 온 저항 기록이 포함됩니다. 정확한 특성화는 동기화된 고전압 및 고전류 측정, 스트레스 조건과 측정 조건 간의 빠른 스위칭, 그리고 서로 다른 스트레스 전압에서 마이크로초~밀리초 시간대에 걸친 회복 거동 포착에 달려 있습니다.

GaN 전류 붕괴 해결 방안

질화갈륨(GaN) 전류 붕괴를 평가하려면 고전압 OFF 상태 스트레스를 인가하고, 소자를 ON 상태로 빠르게 스위칭하며, 마이크로초 및 밀리초 시간대 모두에서 과도 드레인 전류와 동적 온 저항을 포착해야 합니다. 키사이트 B1505A 전력 소자 Analyzer는 고전압 및 고전류 소스 측정 유닛을 N1267A 고전압 소스 측정 유닛/고전류 소스 측정 유닛 패스트 스위치와 결합하여 단일 통합 플랫폼 내에서 이러한 측정을 수행합니다. 동기화된 측정 아키텍처는 최대 3000 V의 OFF 상태 스트레스, 최대 20 A의 ON 상태 펄스 전류, 20 µs만큼 짧은 스위칭 시간, 그리고 즉각적인 전류 붕괴와 장기 회복 거동을 모두 관찰하기 위한 고속 샘플링을 지원합니다. 내장된 어플리케이션 테스트 및 트레이스 측정 모드는 패키지 및 온웨이퍼 GaN 소자의 동적 온 저항 및 전류 붕괴 평가를 단순화하는 동시에 셋업 복잡성을 줄이고 커스텀 측정 프로그래밍의 필요성을 없애줍니다.
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