GaN 전류 붕괴 현상을 평가하는 방법

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GaN 전류 붕괴 평가

질화갈륨(GaN) 전력 소자의 특성 분석에는 고전압 OFF 상태 부하를 가한 후 발생하는 과도 전류 급감 및 동적 온저항을 평가해야 합니다. 측정 시스템은 고전압 바이어스 적용, ON 상태로의 신속한 스위칭, 전압 및 전류의 동기화된 측정, 그리고 단시간 및 장시간 간격에 걸친 고속 샘플링을 지원하여 소자의 과도 거동을 정확하게 포착할 수 있어야 합니다.

측정 과정은 OFF 상태의 스트레스 전압을 인가하고, 소자를 ON 상태로 전환한 후, 전환 직후의 드레인 전류와 온저항을 기록하는 방식으로 이루어집니다. 정확한 특성 분석은 고전압 및 고전류 측정의 동기화, 스트레스 조건과 측정 조건 간의 신속한 전환, 그리고 다양한 스트레스 전압 하에서 마이크로초에서 밀리초 단위의 시간 척도에서 나타나는 회복 거동을 포착하는 데 달려 있습니다.

GaN 전류 붕괴 해결 방안

질화갈륨(GaN)의 전류 붕괴를 평가하려면 고전압 OFF 상태 스트레스를 가하고, 소자를 ON 상태로 빠르게 전환한 뒤, 마이크로초 및 밀리초 시간 척도에서 과도 드레인 전류와 동적 온저항을 측정해야 합니다. 키사이트(Keysight) B1505A 파워 디바이스 분석기는 고전압 및 고전류 소스 모니터 유닛과 N1267A 고전압 소스 모니터 유닛/고전류 소스 모니터 유닛 패스트 스위치를 결합하여 단일 통합 플랫폼 내에서 이러한 측정을 수행합니다. 동기화된 측정 아키텍처를 통해 최대 3000V의 OFF 상태 스트레스, 최대 20A의 ON 상태 펄스 전류, 20μs에 이르는 짧은 스위칭 시간, 그리고 즉각적인 전류 붕괴와 장기적인 회복 거동을 모두 관찰할 수 있는 고속 샘플링이 가능합니다. 내장된 애플리케이션 테스트 및 트레이스 측정 모드는 패키지 및 웨이퍼 상의 GaN 소자에 대한 동적 온저항 및 전류 붕괴 평가를 간소화하는 동시에 설정 복잡성을 줄이고 맞춤형 측정 프로그래밍의 필요성을 없애줍니다.
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