Como avaliar os efeitos do colapso de corrente no GaN

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Avaliação do colapso de corrente em GaN

A caracterização de dispositivos de potência de nitreto de gálio (GaN) requer a avaliação do colapso de corrente transitório e da resistência dinâmica no estado ligado após a aplicação de tensão elevada no estado desligado. O sistema de medição deve suportar polarização de alta tensão, comutação rápida para o estado ligado, medições sincronizadas de tensão e corrente, e amostragem em alta velocidade em intervalos de tempo de curta e longa duração para capturar com precisão o comportamento transitório do dispositivo.

O processo de medição envolve a aplicação de uma tensão de estresse no estado OFF, a comutação do dispositivo para o estado ON e o registro da corrente de dreno e da resistência no estado ON imediatamente após a transição. A caracterização precisa depende de medições sincronizadas de alta tensão e alta corrente, da comutação rápida entre as condições de estresse e de medição e da captura do comportamento de recuperação em escalas de tempo que variam de microssegundos a milissegundos sob diferentes tensões de estresse.

Solução para o colapso de corrente em GaN

A avaliação do colapso de corrente no nitreto de gálio (GaN) requer a aplicação de tensão elevada no estado OFF, a comutação rápida do dispositivo para o estado ON e a captura da corrente de dreno transitória e da resistência dinâmica no estado ON em escalas de tempo tanto na ordem de microssegundos quanto de milissegundos. O Analisador de Dispositivos de Potência B1505A da Keysight combina unidades de monitoramento de fonte de alta tensão e alta corrente com a Unidade de Monitoramento de Fonte de Alta Tensão/Unidade de Monitoramento de Fonte de Alta Corrente com Comutação Rápida N1267A para realizar essas medições em uma única plataforma integrada. A arquitetura de medição sincronizada permite tensão no estado “OFF” de até 3.000 V, correntes de pulso no estado “ON” de até 20 A, tempos de comutação de apenas 20 μs e amostragem em alta velocidade para observar tanto o colapso imediato da corrente quanto o comportamento de recuperação a longo prazo. Testes de aplicação integrados e modos de medição de traços simplificam a avaliação dinâmica da resistência no estado “ON” e do colapso de corrente para dispositivos GaN encapsulados e em wafer, ao mesmo tempo em que reduzem a complexidade da configuração e eliminam a necessidade de programação personalizada de medição.
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