Wie man die Auswirkungen des Stromkollapses bei GaN bewertet

Angebot anfordern
Parameteranalysator
+ Parameteranalysator
Parameteranalysator
+ Parameteranalysator

GaN-Stromkollaps bewerten

Die Charakterisierung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern erfordert die Bewertung des transienten Stromabfalls und des dynamischen Durchlasswiderstands nach Anlegen einer Hochspannung im Aus-Zustand. Das Messsystem muss Hochspannungsvorspannung, schnelles Schalten in den Ein-Zustand, synchronisierte Spannungs- und Strommessungen sowie eine schnelle Abtastung über kurze und lange Zeitintervalle ermöglichen, um das transiente Verhalten des Bauelements präzise zu erfassen.

Der Messprozess umfasst das Anlegen einer Belastungsspannung im AUS-Zustand, das Umschalten des Bauelements in den EIN-Zustand und die unmittelbare Aufzeichnung von Drainstrom und Durchlasswiderstand nach dem Übergang. Eine präzise Charakterisierung erfordert synchronisierte Hochspannungs- und Hochstrommessungen, schnelles Umschalten zwischen Belastungs- und Messbedingungen sowie die Erfassung des Erholungsverhaltens im Mikro- bis Millisekundenbereich unter verschiedenen Belastungsspannungen.

Lösung für den GaN-Stromkollaps

Die Untersuchung des Stromabfalls in Galliumnitrid (GaN) erfordert die Anwendung einer Hochspannungs-Spannungsmessung im Aus-Zustand, das schnelle Umschalten des Bauelements in den Ein-Zustand sowie die Erfassung des transienten Drainstroms und des dynamischen Einschaltwiderstands im Mikro- und Millisekundenbereich. Der Keysight B1505A Power Device Analyzer kombiniert Hochspannungs- und Hochstromquellen-Monitoreinheiten mit der Schnellschalteinheit N1267A für Hochspannungs- und Hochstromquellen-Monitoreinheit, um diese Messungen auf einer einzigen integrierten Plattform durchzuführen. Die synchronisierte Messarchitektur ermöglicht Spannungsmessungen im Aus-Zustand bis zu 3000 V, Impulsströme im Ein-Zustand bis zu 20 A, Schaltzeiten von nur 20 µs und eine Hochgeschwindigkeitsabtastung zur Beobachtung sowohl des unmittelbaren Stromabfalls als auch des Langzeit-Erholungsverhaltens. Integrierte Anwendungstests und Trace-Messmodi vereinfachen die Untersuchung des dynamischen Einschaltwiderstands und des Stromabfalls für gekapselte und auf Wafern integrierte GaN-Bauelemente, reduzieren die Komplexität des Messaufbaus und machen eine kundenspezifische Messprogrammierung überflüssig.
Angebot anfordern

Siehe Blockdiagramm der Lösung für den GaN-Stromkollaps

Wie man die Auswirkungen des Stromkollapses bei GaN bewertet

Entdecken Sie Produkte in unserer GaN-Stromkollapslösung

Verwandte Anwendungsfälle

Charakterisierung des Einschaltstroms von ICs mit geringer Leistung

Messen Sie den Einschaltstrom von ICs mit niedriger Leistungsaufnahme, während Sie die Versorgungsspannung mit getriggerter, schneller Quellen- und Messdatenerfassung überwachen.

Mehr erfahren

Wie man schnelle Übergänge vom Schlaf- zum Aktivmodus erfasst

Schnelle Stromübergänge vom Schlaf- zum Aktivzustand werden mit synchronisierter Triggerung, großem Dynamikbereich und Hochgeschwindigkeits-Stromdigitalisierung erfasst.

Mehr erfahren

Wie man den spezifischen Widerstand von Isoliermaterialien misst

Messen Sie den Oberflächen- und Volumenwiderstand von Isoliermaterialien mit hoher Genauigkeit mithilfe von Elektrometern und Widerstandszellen.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Kontaktieren Sie einen unserer Experten

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt