Choose a country or area to see content specific to your location
- 概述
- 所有型號
- 配件
- 軟體
- 支援
注入精確的電磁故障以揭露潛在漏洞
電磁故障注入 (EMFI) 允許安全工程師透過精確產生的電磁脈衝，將受控的故障引入目標裝置中。透過將電磁能量集中在晶片的特定區域，評估人員能夠在安全關鍵操作期間影響裝置行為，進而協助揭露漏洞、評估對策，並驗證裝置對故障攻擊的抵抗能力。
注入局部故障
測試封裝裝置
在不進行晶片去封裝的情況下執行故障注入評估，減少準備時間並保留目標裝置。
繞過光學對策
自動化並重複評估
-
Maximum voltage
100 V ± 10% 至 475 V ± 10%
-
最高頻率
1 MHz
-
產品類型
Unidirectional fault injection probe, Bidirectional fault injection probe
-
Technology
Device Security
最受歡迎的配置
雙向故障注入探棒
DS1121B 雙向故障注入探棒可將高功率電磁（EM）脈衝傳送至目標裝置上精確且使用者自訂的位置。其快速脈衝產生功能旨在滿足商業和認證測試環境的嚴格要求。
DS1121B 雙向故障注入探棒可將高功率電磁（EM）脈衝傳送至目標裝置上精確且使用者自訂的位置。其快速脈衝產生功能旨在滿足商業和認證測試環境的嚴格要求。
雙向故障注入探棒
Keysight 的 Inspector 軟體可完整控制 EMFI 探棒設定，包括探棒定位、XY 平台移動和相機操作。該平台支援自動化測試執行與簡化的報表，以利分析和最佳化測試結果。此雙向探棒可獨立運作、在自訂設定中運作，或整合至現有的使用者自訂硬體與軟體架構中。
隨著晶片封裝日益複雜，以及採用精密的光敏感測器以防止光學雷射故障，這種用於故障注入情境的新測試向量可繞過傳統措施，並為高階安全測試邁出下一步。
Keysight 雙向故障注入探棒提供以下功能：
- 包含全新改良的放大器單元
- 免除晶片去封裝的需求
- 支援可配置的高功率電磁脈衝，並可搭配可互換的線圈以適應不同的場型分佈
- 允許透過軟體精確調整短而快的脈衝特性
- 與基於雷射的方法相比，降低了裝置永久損壞的風險
- 能夠在邏輯元件內進行針對性的位元翻轉
- 相容於 Keysight 精密 XYZ 平台與多模雷射系統，適用於自動化掃描工作流程
- 隨附標準 EM-FI 瞬態線圈與弦月形鐵氧體探棒
單向故障注入探棒
DS1120A 單向故障注入探棒利用快速、可預測且高功率的電磁脈衝，在現代晶片上造成局部故障。
DS1120A 單向故障注入探棒利用快速、可預測且高功率的電磁脈衝，在現代晶片上造成局部故障。
單向故障注入探棒
隨著晶片封裝日益複雜，以及採用精密的光敏感測器以防止光學雷射故障，Keysight 為現代晶片上的故障注入 (FI) 情境，提供了一種全新且強大的測試向量。單向故障注入探棒可在晶片的使用者定義位置上，產生快速、高功率的電磁脈衝。單向 FI 測試可讓您繞過傳統的防禦措施，並為高階安全測試提供下一步。
DS1120A 易於設定和測試的流程可節省時間，提供符合國際測試實驗室和製造商要求的快速且可預測脈衝。探棒組、XY 工作台和攝影機提供完整的設定，測試人員可透過 Inspector FI 軟體彈性地控制和參數化。該軟體可實現測試自動化和輕鬆報告，以便進一步的情境分析和改進。單向故障注入探棒可獨立使用，或在客製化環境中，以及與您自己的硬體和軟體整合使用。
- 無需晶片解封裝
- 光感測器網格無法偵測電磁脈衝雜訊
- 翻轉目標裝置上邏輯單元的數值
- 與雷射脈衝雜訊相比，永久性晶片損壞的機率較低
- 可調整的高功率脈衝
- 內含不同線圈，可在晶片上產生不同的電磁場
- 可透過軟體配置的快速且短的脈衝
- 對觸發的快速且可預測響應
- 適用於高精度電磁探棒的精密 XYZ 平台，以進行自動掃描
安裝於高精度電磁探棒的精密 XYZ 平台，並搭配：
- 1 個新月形探棒鐵氧體
- 高精度故障注入探棒尖端
雙向故障注入探棒
透過電磁脈衝，在現代晶片上造成局部故障。
透過電磁脈衝，在現代晶片上造成局部故障。
雙向故障注入探棒
Keysight DS1121A 雙向故障注入探棒可在使用者定義的晶片位置上，產生高功率的電磁 (EM) 脈衝。快速且可預測的脈衝可滿足國際測試實驗室和製造商的需求。
測試人員可使用 Keysight 的 EM 故障注入軟體來控制探棒組、XY 工作台和攝影機，該軟體還可實現測試情境的自動化，並輕鬆報告以進行進一步分析和改進。雙向故障注入探棒可獨立使用，或在客製化環境中，或與您自己的硬體和軟體整合使用。
隨著晶片封裝日益複雜，以及採用精密的光敏感測器以防止光學雷射故障，這種用於故障注入情境的新測試向量可繞過傳統措施，並為高階安全測試邁出下一步。
Keysight 雙向故障注入探棒提供以下功能：
- 無需晶片解封裝
- 光感測器網格無法偵測 EM 脈衝雜訊
- 翻轉目標裝置上邏輯單元的數值
- 與雷射脈衝雜訊相比，永久性晶片損壞的機率較低
- 可產生可調整的高功率脈衝，並內含不同線圈以在晶片上產生不同的 EM 場
- 可透過軟體配置快速短脈衝
- 提供快速且可預測的觸發響應
- 適用於 Keysight 精密 XYZ 平台和多模態故障注入雷射，以進行自動化掃描
- 包含標準 EM-FI 暫態線圈和一個新月形探棒鐵氧體
服務與支援
透過精選支援方案以及優先回應與周轉時間，加速創新。
取得可預測的租賃式訂閱和完整的生命週期管理解決方案，讓您更快達成業務目標。
成為 KeysightCare 訂閱者，體驗更優質的服務，獲得承諾的技術回應及更多。
確保您的測試系統符合規格要求，並符合當地與全球標準。
透過內部講師指導的訓練和線上學習，快速進行量測。
下載 Keysight 軟體，或將您的軟體更新至最新版本。
常見問題
電磁故障注入（EMFI）是一種硬體安全性測試技術，使用短暫且受控的電磁脈衝來暫時干擾半導體裝置的運作。透過在精確控制的時刻將能量注入晶片的特定區域，安全工程師可以引發故障並觀察裝置對異常狀況的反應。
EMFI 的運作原理是透過定位在目標裝置上方的專用探棒產生快速電磁脈衝。此脈衝會在晶片內產生局部的干擾，進而可能影響電路行為、時序、記憶體操作或密碼學計算。
透過控制脈衝時序、強度與位置，工程師可以調查裝置在故障條件下的行為並識別潛在的安全弱點。
這兩種技術都試圖引發故障，但它們針對裝置的方式不同。
- 電壓毛刺透過裝置的電源供應器注入故障。
- EMFI 則使用電磁脈衝將能量直接注入裝置的局部區域。
由於 EMFI 可以在不修改電源供應的情況下針對晶片的特定區域，因此在評估複雜或高度整合的裝置時，通常能提供更大的靈活性。
雷射故障注入使用聚焦光來針對矽晶片的特定區域，通常需要實體接觸晶粒。EMFI 則使用電磁脈衝，通常可以直接在已封裝的裝置上執行，無需進行晶片製備。
這使得 EMFI 成為許多重視保護目標裝置之安全性評估的有吸引力的選擇。
通常情況下，不用。EMFI 的主要優勢之一是，測試通常可以直接在已封裝的裝置上進行，而無需暴露矽晶粒。這縮短了準備時間，並允許工程師在更接近其部署狀態的型態下評估產品。
不同的探棒設計會產生不同的電磁場特性和攻擊設定檔。
根據評估目標，工程師可以選擇單向或雙向探棒，以最佳化目標鎖定精確度、錯誤產生和攻擊涵蓋範圍。最適合的選項取決於受測裝置以及所執行的錯誤注入活動類型。
可以。EMFI 系統可以與定位系統和 Inspector 軟體結合，以自動化掃描、錯誤注入活動、參數掃描和結果分析。自動化有助於提高可重複性並加速漏洞發現。
EMFI 通常旨在產生暫時且受控的錯誤，而不是永久損壞裝置。然而，與任何錯誤注入方法一樣，測試應在適當的操作條件和評估程序下進行。
可以。Inspector 軟體支援自動化錯誤注入工作流程、攻擊活動管理、參數探索和結果分析。結合定位系統與錯誤注入探棒，有助於建立高效且可重複的 EMFI 評估。
是的，與基於雷射的方法相比，它降低了永久損壞裝置的風險，因為您不是利用集中的光學能量直接對矽進行燒蝕或加熱。
您通常不需要事先知道確切位置，常見的工作流程是使用較大的線圈在晶片表面進行廣泛掃描（通常結合自動化 XYZ 平台掃描）以識別敏感區域，然後切換到較小、更聚焦的線圈，在該精確點上精確調整並重複錯誤。