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전자기 결함 주입(EMFI)을 통해 보안 엔지니어는 정밀하게 생성된 전자기 펄스를 사용하여 제어된 결함을 타겟 장치에 유입할 수 있습니다. 평가자는 칩의 특정 영역에 전자기 에너지를 집중시킴으로써 보안에 중요한 작동 중에 장치 동작에 영향을 미치고, 취약점을 발견하며, 대책을 평가하고, 결함 공격에 대한 장치의 저항력을 검증할 수 있습니다.
칩 패키지를 제거하지 않고 결함 주입 평가를 수행하여 준비 시간을 단축하고 타겟 디바이스를 보존합니다.
Maximum voltage
100 V ± 10% ~ 475 V ± 10%
Maximum frequency
1 MHz
Product type
Unidirectional fault injection probe, Bidirectional fault injection probe
Technology
Device Security
DS1121B 양방향 결함 주입 프로브는 타겟 디바이스의 사용자가 정의한 정밀한 위치에 고출력 전자기(EM) 펄스를 전달합니다. 빠른 펄스 생성 기능은 상용 및 공인 테스트 환경의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
DS1121B 양방향 결함 주입 프로브는 타겟 디바이스의 사용자가 정의한 정밀한 위치에 고출력 전자기(EM) 펄스를 전달합니다. 빠른 펄스 생성 기능은 상용 및 공인 테스트 환경의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
DS1121B
DS1121B 양방향 결함 주입 프로브는 타겟 디바이스의 사용자가 정의한 정밀한 위치에 고출력 전자기(EM) 펄스를 전달합니다. 빠른 펄스 생성 기능은 상용 및 공인 테스트 환경의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
키사이트의 Inspector 소프트웨어는 프로브 위치 지정, XY 스테이지 움직임, 카메라 조작을 포함하여 EMFI 프로브 설정을 완벽하게 제어할 수 있습니다. 이 플랫폼은 자동화된 테스트 실행과 간소화된 리포트를 지원하여 테스트 결과 분석 및 최적화를 용이하게 합니다. 양방향 프로브는 독립적으로 작동하거나 맞춤형 설정 내에서 작동할 수 있으며, 기존의 사용자 정의 하드웨어 및 소프트웨어 프레임워크에 통합될 수 있습니다.
점차 까다로워지는 칩 패키지와 광학 레이저 결함을 방지하기 위한 정교한 감광 센서 환경에서, 결함 주입 시나리오를 위한 이 새로운 테스트 벡터는 기존의 측정 방식을 우회하고 하이엔드 보안 테스트의 다음 단계를 제시합니다.
키사이트 양방향 결함 주입 프로브는 다음과 같은 기능을 제공합니다.
DS1120A 단방향 오류 주입 프로브는 빠르고 예측 가능하며 고출력 전자기 펄스를 사용하여 최신 칩에서 국부적인 오류를 수행합니다.
DS1120A 단방향 오류 주입 프로브는 빠르고 예측 가능하며 고출력 전자기 펄스를 사용하여 최신 칩에서 국부적인 오류를 수행합니다.
DS1120A
DS1120A 단방향 오류 주입 프로브는 빠르고 예측 가능하며 고출력 전자기 펄스를 사용하여 최신 칩에서 국부적인 오류를 수행합니다.
광학 레이저 결함을 방지하기 위해 사용되는 점차 까다로워지는 칩 패키지와 정교한 감광 센서에 대응하여, 키사이트는 최신 칩의 결함 주입(FI) 시나리오를 위한 강력하고 새로운 테스트 벡터를 선보입니다. 단방향 결함 주입 프로브는 칩의 사용자가 정의한 위치에 빠르고 고출력인 전자기 펄스를 유도합니다. 단방향 FI 테스트를 통해 기존의 대응책을 우회할 수 있으며 하이엔드 보안 테스트의 다음 단계를 경험할 수 있습니다.
DS1120A의 간편한 설정 및 테스트 프로세스는 국제 테스트 랩 및 제조업체의 요구 사항을 충족하는 빠르고 예측 가능한 펄스를 제공하여 시간을 절약해 줍니다. 프로브 세트, XY 테이블, 카메라는 테스터가 Inspector FI 소프트웨어를 통해 유연하게 제어하고 매개변수화할 수 있는 완전한 설정을 제공합니다. 이 소프트웨어는 테스트 자동화와 추가 시나리오 분석 및 개선을 위한 간편한 리포트 작성을 지원합니다. 단방향 결함 주입 프로브는 독립형으로 사용하거나 커스텀 환경에서 사용할 수 있으며 자체 하드웨어 및 소프트웨어와 통합할 수도 있습니다.
다음을 사용하여 고정밀 전자기 프로브의 정밀 XYZ 스테이지에 장착:
최신 칩에서 국부적인 오류를 수행하기 위해 전자기 펄스를 유도합니다.
최신 칩에서 국부적인 오류를 수행하기 위해 전자기 펄스를 유도합니다.
키사이트 DS1121A 양방향 결함 주입 프로브는 사용자 정의 칩 위치에 고출력 전자기(EM) 펄스를 유도합니다. 빠르고 예측 가능한 펄스는 국제 테스트 실험실 및 제조업체의 요구 사항을 충족합니다.
테스터는 키사이트의 EM 결함 주입 소프트웨어를 사용하여 프로브 세트, XY 테이블, 카메라를 제어할 수 있으며, 이를 통해 테스트 시나리오 자동화 및 추가 분석과 개선을 위한 간편한 리포팅이 가능합니다. 독립형 또는 사용자 정의 환경에서 양방향 결함 주입 프로브를 사용하거나 자체 하드웨어 및 소프트웨어와 통합할 수 있습니다.
점차 까다로워지는 칩 패키지와 광학 레이저 결함을 방지하기 위한 정교한 감광 센서 환경에서, 결함 주입 시나리오를 위한 이 새로운 테스트 벡터는 기존의 측정 방식을 우회하고 하이엔드 보안 테스트의 다음 단계를 제시합니다.
키사이트 양방향 결함 주입 프로브는 다음과 같은 기능을 제공합니다.
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예측 가능한 리스 기반 구독 및 전체 수명 주기 관리 솔루션을 통해 비즈니스 목표를 더 빠르게 달성하십시오.
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테스트 시스템이 사양에 따라 작동하고 현지 및 글로벌 표준을 충족하는지 확인하십시오.
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전자기 결함 주입(EMFI)은 짧고 제어된 전자기 펄스를 사용하여 반도체 디바이스의 작동을 일시적으로 방해하는 하드웨어 보안 테스트 기술입니다. 보안 엔지니어가 정밀하게 제어되는 순간에 칩의 특정 영역에 에너지를 주입함으로써 결함을 유도하고 비정상적인 조건에 디바이스가 어떻게 응답하는지 관찰할 수 있습니다.
EMFI는 타겟 디바이스 위에 위치한 특수 프로브를 통해 빠른 전자기 펄스를 생성하여 작동합니다. 이 펄스는 칩 내부에 국부적인 교란을 일으켜 회로 동작, 타이밍, 메모리 연산 또는 암호화 계산에 잠재적인 영향을 미칩니다.
엔지니어는 펄스 타이밍, 강도, 위치를 제어하여 결함 조건에서 디바이스가 어떻게 작동하는지 조사하고 잠재적인 보안 취약성을 파악할 수 있습니다.
두 기법 모두 결함을 유발하려고 시도하지만, 디바이스를 타겟팅하는 방식에는 차이가 있습니다.
EMFI는 전원 공급 장치를 변경하지 않고 칩의 특정 영역을 타겟팅할 수 있으므로, 복잡하거나 고집적된 디바이스를 평가할 때 더 큰 유연성을 제공하는 경우가 많습니다.
레이저 결함 주입은 집광된 빛을 사용하여 실리콘의 특정 영역을 타겟팅하며, 대개 다이에 대한 물리적 접근이 필요합니다. 반면 EMFI는 전자기 펄스를 사용하므로 칩 준비 과정 없이 패키지된 디바이스에서 직접 수행할 수 있는 경우가 많습니다.
이러한 특성 덕분에 EMFI는 타겟 디바이스의 무결성 유지가 중요한 많은 보안 평가에서 매력적인 옵션이 됩니다.
대부분의 경우 그럴 필요가 없습니다. EMFI의 주요 장점 중 하나는 실리콘 다이를 노출하지 않고도 패키지된 디바이스에서 직접 테스트를 수행할 수 있는 경우가 많다는 점입니다. 이를 통해 준비 시간을 단축하고 엔지니어가 배포된 상태에 더 가까운 조건에서 제품을 평가할 수 있습니다.
프로브 설계에 따라 전자기장 특성과 공격 프로파일이 달라집니다.
평가 목적에 따라 엔지니어는 단방향 또는 양방향 프로브를 선택하여 타겟팅 정확도, 결함 생성 및 공격 커버리지를 최적화할 수 있습니다. 가장 적합한 옵션은 테스트 대상 디바이스와 수행 중인 결함 주입 캠페인의 유형에 따라 달라집니다.
예. EMFI 시스템을 포지셔닝 시스템 및 Inspector 소프트웨어와 결합하여 스캔, 결함 주입 캠페인, 파라미터 스윕, 결과 분석을 자동화할 수 있습니다. 자동화는 반복성을 높이고 취약점 발견을 가속화하는 데 도움이 됩니다.
EMFI는 일반적으로 디바이스에 영구적인 손상을 주기보다는 일시적이고 제어된 결함을 생성하도록 설계되었습니다. 그러나 다른 결함 주입 방법과 마찬가지로 적절한 작동 조건 및 평가 절차 내에서 테스트를 수행해야 합니다.
예. Inspector 소프트웨어는 자동화된 결함 주입 워크플로, 공격 캠페인 관리, 파라미터 탐색 및 결과 분석을 지원합니다. 포지셔닝 시스템 및 결함 주입 프로브와 결합하여 효율적이고 반복 가능한 EMFI 평가를 수행할 수 있도록 지원합니다.
예, 집중된 광에너지로 실리콘을 직접 가공하거나 가열하지 않기 때문에 레이저 기반 방법에 비해 영구적인 디바이스 손상 위험이 줄어듭니다.
일반적으로 정확한 위치를 미리 알 필요는 없습니다. 일반적인 워크플로에서는 더 큰 코일을 사용하여 칩 표면을 넓게 스캔(자동화된 XYZ 스테이지 스캔과 함께 사용되는 경우가 많음)하여 민감한 영역을 식별한 다음, 더 작고 집중된 코일로 전환하여 해당 정확한 지점에서 결함을 구체화하고 반복합니다.